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MMBT2907
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MMBT2907

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Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

品牌:

Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

型号:

MMBT2907

编号:

L58603611

包装:

-

批号:

-

封装:

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述:

-

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 三极管(BJT)
晶体管类型 PNP
集电极电流(Ic) 600mA
集射极击穿电压(Vceo) 40V
耗散功率(Pd) 250mW
直流电流增益(hFE) 100@150mA，10V
特征频率(fT) 200MHz
集电极截止电流(Icbo) 20nA
集射极饱和电压(VCE(sat)) 400mV
工作温度 -

PDF描述：PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) PNP （通用晶体管）

产品概述

MMBT2907 产品概述

一、简介

MMBT2907 为 PNP 型小信号/功率三极管，品牌：Slkor（萨科微），封装为 SOT-23。器件面向通用开关与放大用途，规格平衡，适合空间受限的表贴电路板设计。

二、主要参数

  • 晶体管类型：PNP
  • 集电极电流 Ic：600 mA（峰值能力）
  • 集射极击穿电压 Vceo：40 V
  • 耗散功率 Pd：250 mW（SOT-23 封装散热极限）
  • 直流电流增益 hFE：100@150 mA, 10 V
  • 特征频率 fT：200 MHz（高频响应良好）
  • 集电极截止电流 Icbo：20 nA
  • 集电极饱和电压 VCE(sat)：400 mV
  • 射基极击穿电压 Vebo：5 V

三、器件特性与优势

  • 高频特性（fT≈200 MHz）使其在射频前级或高频切换场合表现良好。
  • 高 hFE 在中等电流区（150 mA）提供较小基极驱动电流需求，有利于降低驱动器负担。
  • 低漏电（Icbo≈20 nA）适合低静态电流的电路设计。

四、使用与热管理注意

尽管 Ic 最高可达 600 mA，但封装耗散功率仅 250 mW，长期连续工作电流必须受限于功耗与结温（Tj）限制。设计时应：

  • 根据 Vce 与 Ic 估算实际耗散 Pd = Vce × Ic，确保 Pd < 250 mW（考虑环境与 PCB 散热系数）。
  • 避免反向基-射击穿（Vebo ≤ 5 V），基极反向电压应加以限制。
  • 引脚排列与封装热阻请参照厂方数据手册，布局时加大铜箔、增加散热通孔可改善热性能。

五、典型应用场景

  • 高侧开关与电源反向电路（PNP 便于拉高侧控制）
  • 小电流电机驱动、继电器驱动（需按功耗限制设计）
  • 低噪声放大器、信号放大与电平移位
  • 高频开关与缓冲器件

六、选型与封装信息

SOT-23 紧凑封装利于表贴工艺与高密度布局。订购时请确认 Slkor 的完整料号与数据手册，并参考器件最大额定值与封装热阻以匹配目标应用。若需更高耗散能力或更大电流，应选用功率封装或并联设计并评估均流与热性能。

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