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MMBTA42

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STMicroelectronics

品牌:

STMicroelectronics

型号:

MMBTA42

编号:

L58608979

包装:

-

批号:

-

封装:

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:

-

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 三极管(BJT)
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic) 300mA
集射极击穿电压(Vceo) 300V
耗散功率(Pd) 350mW
直流电流增益(hFE) 100@10mA,10V
特征频率(fT) 50MHz
集电极截止电流(Icbo) 250nA
集射极饱和电压(VCE(sat)) -
工作温度 -

PDF描述:NPN high-voltage transistor NPN型高压晶体管

产品概述

MMBTA42 产品概述

一、产品简介

MMBTA42是一款符合现代电子设备需求的高性能NPN型小功率三极管,具有优良的电气特性和可靠性。该三极管以其较高的饱和电流和直流电流增益,广泛应用于信号放大与开关电路等领域。其封装形式为SOT-23(SOT-23-3),便于表面贴装,有助于减少PCB板的占用空间并提高生产效率。

二、基本电气参数

  • 功率 (Pd): 350mW
    MMBTA42的最大功耗为350毫瓦,适合在低功耗的应用环境中使用。

  • 商品分类: 三极管(BJT)
    本产品属于双极型晶体管(BJT),主要应用于模拟信号处理及开关控制。

  • 晶体管类型: NPN
    作为NPN型三极管,MMBTA42在适当的偏置下,可以高效地控制较大的负载。

  • 特征频率 (fT): 50MHz
    MMBTA42在此频率下的表现优异,适合高频放大和开关电路应用。

  • 直流电流增益 (hFE@Ic, Vce): 100@10mA, 10V
    该三极管提供的直流电流增益达到100,是实现信号放大的理想选择。

  • 集射极击穿电压 (Vceo): 300V
    MMBTA42具有300V的最大集射极击穿电压,适应高电压环境,增强了器件的耐用性。

  • 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)@Ic, Ib): 200mV@20mA, 2mA
    在20mA的集电极电流和2mA的基极电流下,其饱和电压仅为200mV,意味着能耗低,提升了能效。

  • 集电极截止电流 (Icbo): 250nA
    较小的截止电流表明其在关断状态下几乎没有功耗,有助于提高系统的整体能效。

  • 集电极电流 (Ic): 300mA
    MMBTA42的最大集电极电流为300mA,满足大多数中小功率驱动需求。

三、产品应用

MMBTA42因其优异的电气性能,广泛应用于以下领域:

  1. 开关电路: 作为开关元件,能够高效控制电流,实现逻辑电路中的开闭切换。

  2. 放大电路: 凭借其较高的直流电流增益,MMBTA42可用于各种信号放大应用,如音频、射频及其它小信号放大器。

  3. 直流电机驱动: 其较高的集电极电流特性使其适合用于直流电机的控制和驱动。

  4. LED驱动: 饱和电压低,适合驱动小功率LED,尤其是在便携式设备中实现高效照明。

  5. 自动化与控制设备: 可用于传感器信号处理和控制逻辑电路。

四、封装和安装

MMBTA42采用SOT-23封装,体积小、引脚少,适合表面贴装技术(SMT),便于批量生产和自动化装配。其紧凑设计为现代电子产品提供了优良的空间利用效率,尤其是在空间受限的应用场合,如手机、笔记本电脑及工业控制设备中。

五、总结

总之,MMBTA42是一款优秀的NPN小功率三极管,具有广泛的电气特性和多种应用场景。其高增益、低饱和电压和高耐压能力使其成为了电子设计师的理想选择。不论是信号放大还是开关控制,MMBTA42都能充分满足现代电子设备对小型化和高性能的需求,是推动电子技术进步的重要元器件。

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