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IHW40N65R5XKSA1

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1+

¥ 33.054760

¥ 33.05476
30+

¥ 18.108472

¥ 543.25416
120+

¥ 14.802335

¥ 1776.2802
510+

¥ 12.376446

¥ 6311.98746
1020+

¥ 11.490909

¥ 11720.72718
2010+

¥ 10.761142

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Infineon Technologies

品牌:

Infineon Technologies

型号:

IHW40N65R5XKSA1

编号:

L58618640

包装:

-

批号:

-

封装:

TO-247-3

描述:

-

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 IGBT管/模块
IGBT类型 -
集射极击穿电压(Vces) 650V
集电极电流(Ic) 80A
耗散功率(Pd) 230W
栅极阈值电压(Vge(th)) -
栅极电荷量(Qg) 193nC
输入电容(Cies) -
开启延迟时间(Td(on)) -
关断延迟时间(Td(off)) 258ns
导通损耗(Eon) -
关断损耗(Eoff) -
反向恢复时间(Trr) -
工作温度 -40℃~+175℃@(Tj)

PDF描述:Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

产品概述

暂无产品概述

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