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IGW75N60H3FKSA1

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Infineon Technologies

品牌:

Infineon Technologies

型号:

IGW75N60H3FKSA1

编号:

L58618652

包装:

-

批号:

-

封装:

TO-247-3

描述:

-

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 IGBT管/模块
IGBT类型 FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces) 600V
集电极电流(Ic) 140A
耗散功率(Pd) 428W
栅极阈值电压(Vge(th)) 2.3V@15V,75A
栅极电荷量(Qg) 470nC
开启延迟时间(Td(on)) 31ns
关断延迟时间(Td(off)) 265ns
导通损耗(Eon) 3mJ
关断损耗(Eoff) 1.7mJ
工作温度 -40℃~+175℃@(Tj)

PDF描述:Insulated Gate Bipolar Transistor,

产品概述

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