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1SS374(TE85L,F)
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1SS374(TE85L,F)

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Toshiba Semiconductor and Storage

品牌:

Toshiba Semiconductor and Storage

型号:

1SS374(TE85L,F)

编号:

L58627944

包装:

-

批号:

-

封装:

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述:

-

  • 产品参数

PDF描述：RECTIFIER DIODES,DOUBLER,SCHOTTKY,15V V(RRM),SC-59

产品概述

1SS374 (TE85L,F) 产品概述

一、产品简介

1SS374 (TE85L,F) 为东芝（TOSHIBA）生产的肖特基整流二极管，采用一对串联式设计，针对低压、小电流的整流与保护应用优化。肖特基结构带来低正向压降与快速响应，适合便携与低功耗电路。

二、主要电气参数

  • 二极管配置：1对串联式
  • 正向压降：Vf = 0.5 V @ 100 mA（单颗）
  • 直流反向耐压：Vr = 10 V（单颗）
  • 最大整流电流：ID = 100 mA（直流）
  • 反向电流：Ir = 20 μA @ 10 V
  • 非重复峰值浪涌电流：Ifsm = 1 A（单次浪涌）
    以上参数表明器件在低压（<10 V）和小电流工况下具有良好效率与可靠性。

三、封装与机械特性

封装：TO-236-3（常见SOT-23类小信号封装），体积小、适合贴片组装。串联配置可在同一封装内实现更高耐压或用于电压叠加设计，便于节省PCB空间。

四、典型应用场景

  • 便携设备的低压整流与电源后级保护
  • 功率路径上的极性保护与反接保护
  • 信号钳位、检波与电平移位电路
  • 通信与传感模块的小电流整流场合

五、使用建议与注意事项

  • 直流工作电流建议不超过100 mA，长期高温下应适当留有余量以延长寿命。
  • 非重复浪涌能承受1 A，但不可作为频繁大电流回路使用，注意浪涌脉冲能量和重复率。
  • 肖特基器件在高温时反向泄漏电流会显著上升，设计时应考虑工作温度对Ir的影响。
  • 串联配置在设计时注意总正向压降与总反向耐压（串联后耐压可叠加），并确保每颗器件工作均衡。

六、封装布局与散热提示

采用短且宽的走线连接引脚以减少寄生阻抗，必要时在焊盘下方增加铜箔散热区。对于靠近热源或工作在较高平均功率的场合，应评估封装温升并考虑外部散热或降低电流密度。

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