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BZV85-C33,113
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BZV85-C33,113

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Nexperia USA Inc.

品牌:

Nexperia USA Inc.

型号:

BZV85-C33,113

编号:

L58647160

包装:

-

批号:

-

封装:

DO-204AL，DO-41，轴向

描述:

-

  • 产品参数

PDF描述：DIODE ZENER 33V 1W DO41

产品概述

BZV85-C33,113 产品概述

一、产品简介

BZV85-C33,113 是 Nexperia（安世）出品的 33V 稳压二极管，采用 DO-41 轴向封装，适用于通孔安装与一般电路的局部稳压与保护。标称稳压值 33V，公差 ±5%，制造工艺适合在中低功耗、对体积和成本敏感的应用中使用。

二、主要电气参数

  • 标称稳压值（Vz）：33V
  • 稳压范围：31V ～ 35V（与 ±5% 精度一致）
  • 反向漏电流（Ir）：50nA @ 23V（注：漏流随电压与温度升高而上升）
  • 耗散功率（Pd）：1.3W（封装与散热条件相关）
  • 稳态阻抗（Zzt）：45Ω（在规定测试电流下）
    以上参数可用于快速估算工作点与热设计边界。

三、设计与使用要点

  • 功率与电流限制：在理想散热条件下，最大稳态电流 Imax ≈ Pd / Vz ≈ 1.3W / 33V ≈ 39mA。为保证可靠性与热余量，实际设计建议显著低于该极限（常见工作电流范围为数毫安到数十毫安）。
  • 动态阻抗影响：Zzt = 45Ω 意味着电流变化 1mA 将引起约 45mV 的电压变化；ΔI = 10mA 对应约 450mV 波动。若需更稳定的电压，需保持稳定的偏流或并联更低阻抗的参考源。
  • 串联电阻选择示例：若 Vin = 48V，需在 Vz = 33V 下流过 Iz = 10mA，则串联电阻 R = (48-33)/0.01 = 1.5kΩ，R 耗散功率 P = (48-33)*0.01 = 0.15W。
  • 漏电与温度：标称 50nA @23V 为典型测试点，实际在 33V 条件下及高温环境下漏电会增加，影响高阻负载或精密参考场合。

四、封装与散热建议

DO-41 为轴向引线玻璃封装，便于手工焊接与波峰焊。焊接时注意不要超时超温以免损伤封装。因热阻较大，应在 PCB 设计中为元件提供良好散热路径并进行功率降额，长期工作时推荐留有 ≥30% 的余量。

五、典型应用场景

  • 电子设备的局部稳压与偏置源
  • 过压/浪涌限制与参考电压源
  • 工业与消费类电路中的基准或保护元件

六、选型与注意事项

  • 请以 Nexperia 官方数据表为准，检查测试条件（测试电流、温度）与最大额定值。
  • 对于对精度或温漂要求高的场合，考虑使用低阻抗、多级稳压或专用基准源。
  • 订购时确认完整型号与包装（BZV85-C33,113）以及批次和出货条件。

总体而言，BZV85-C33,113 适合中等电压（≈33V）下的通用稳压与保护用途，在合理的电流与散热控制下可提供稳定可靠的性能。

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