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BZX79-B2V7,143

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Nexperia USA Inc.

品牌:

Nexperia USA Inc.

型号:

BZX79-B2V7,143

编号:

L58651258

包装:

-

批号:

-

封装:

DO-204AH,DO-35,轴向

描述:

-

  • 产品参数

PDF描述:DIODE ZENER 2.7V 400MW ALF2

产品概述

BZX79-B2V7,143 产品概述

一、产品简介

BZX79-B2V7,143 是 Nexperia(安世)生产的轴向玻璃封装齐纳二极管,标称齐纳电压 2.7V,额定耗散功率 400mW,公差 ±2%。常见封装为 SOD27(DO-35)通孔,适用于原型与低功耗板级稳压及钳位保护。

二、主要电气参数

  • 稳压值(标称):2.7V(±2% → 约 2.646V–2.754V)
  • 反向漏电流 Ir:20µA @ 1V
  • 动态阻抗 Zzt:100Ω(表征小电流下稳压能力)
  • 最大耗散功率 Pd:400mW(在环境温度与散热条件下的额定值)

三、性能要点与限制

  • 低电压齐纳在低电流区动态阻抗较大,低电流时稳压精度受限;需要选用合适的偏置电流以降低噪声与阻抗。
  • 理论最大电流约为 Pd/Vz ≈ 148mA,但实际工作电流应远低于该值以降低结温与延长寿命。
  • 反向漏电低,适合低功耗参考与微小信号场合,但受温度影响,需考虑温漂及热稳定性。

四、典型应用

  • 低电流基准与偏置源(与串联电阻配合)
  • 输入钳位与浪涌保护,限制过电压尖峰
  • 小型电路的局部稳压(如传感器、低速模数电路)
  • 通孔/试验板快速调试与替换元件

五、选型与电路设计建议

  • 若要求更低噪声和更稳定参考,应选用带温度补偿或专用基准源;2.7V 齐纳适合对精度要求不是极高的场合。
  • 计算串联电阻时按所需齐纳电流 Iz 设计:R=(Vin–2.7V)/Iz,并检查齐纳与电阻总耗散不超过器件额定。举例:Vin=5V,Iz=5mA → R≈460Ω;齐纳耗散≈13.5mW。
  • 注意环境温度与PCB散热,必要时增加铜箔或使用散热措施并查看数据表中的热阻与结温限制。

六、封装与可靠性

SOD27/DO-35 玻璃轴向封装,便于穿孔焊接与更换。玻璃管体易碎,焊接时避免过热与机械应力。长期可靠性与寿命受结温与电流应力影响。

七、验证与使用注意

推荐在目标电流点用恒流源测量齐纳电压和动态阻抗,并验证在工作温度范围内的漂移。出货前参考 Nexperia 数据表确认测试条件(Iz、测试电压等)以确保设计一致性。

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