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BZV55C12

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Microchip Technology

品牌:

Microchip Technology

型号:

BZV55C12

编号:

L58655004

包装:

-

批号:

-

封装:

DO-213AA

描述:

-

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 稳压二极管
二极管配置 独立式
稳压值(标称值) 12V
反向电流(Ir) 100nA@9.1V
稳压值(范围) 11.4V~12.7V
耗散功率(Pd) 500mW
阻抗(Zzt) 20Ω

PDF描述:SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODE 0.5 WATT, 2.4 THRU 75 VOLTS 【 5ANCE 表面贴装硅稳压二极管0.5瓦, 2.4 THRU 75伏± 5ANCE

产品概述

BZV55C12 产品概述

一、概述

BZV55C12 是一款由 LGE(鲁光)生产的独立式稳压二极管,标称稳压值 12V,稳压范围 11.4V~12.7V,封装为 SOD-80,额定耗散功率 500mW。该器件适用于小功率电压稳压、基准源、过压保护及信号电平钳位等场景,体积小、漏电流低,便于表面贴装自动化生产。

二、电气参数与工程含义

  • 标称稳压值:12V(在指定测试电流下),实际批次工作电压在 11.4V~12.7V 范围内,设计时需考虑容差。
  • 反向电流 Ir:100nA @ 9.1V,表示在较低反向电压时漏电极小,适合高阻抗电路或电池供电的低功耗应用。
  • 流动阻抗 Zzt = 20Ω:在规定测试电流附近的动态阻抗,阻抗越小,负载变动时电压越稳定。
  • 膝部阻抗 Zzk = 90Ω:在跨入稳压区起始处的电阻,影响低电流下的稳压特性。
  • 耗散功率 Pd = 500mW:器件最大允许耗散功率,长时间工作接近该值需采取散热或限流措施以避免损坏。

三、功耗与热设计要点

最大稳压电流近似可由 Imax = Pd / Vz 估算,按 12V 计算得约 41mA。实际应用中不建议长期以此电流工作,应留裕量。常用做法:

  • 将工作电流控制在几毫安至十几毫安范围内以保证稳定与可靠。
  • 在 SOD-80 小封装上应考虑 PCB 铜箔作为散热路径,扩大焊盘和过孔能有效降低结壳温升。
  • 若环境温度高或长时间高电流工作,应按厂商热阻数据进行热仿真并线性降额。

四、典型电路与计算实例

常用作串联限流的并联稳压元件。串联电阻选择: R = (Vin - Vz) / Iz 例:Vin = 24V,目标 Iz = 20mA,则 R = (24-12)/0.02 = 600Ω;此时电阻耗散为 (24-12)*0.02 = 0.24W,应选用适当功率等级电阻并留裕度。 同时需保证在最坏工况(Vin 最大、Vz 最小)下电流不超过器件允许值。

五、封装与装配注意

SOD-80 是表面贴装型小外形封装,适合自动贴装与回流焊。装配注意事项:

  • 焊盘按厂商推荐布局,确保良好热扩散和可靠焊接。
  • 回流曲线遵循焊接工艺规范,避免过高峰值温度或长时间高温。
  • 在高振动或机械应力场合,注意焊点与基板的机械可靠性。

六、应用建议与选型要点

  • 若需要更高精度或低温漂的参考源,应考虑选用专用基准源或容差更小的稳压二极管;BZV55C12 更适合通用稳压与保护用途。
  • 在高精度前端或模拟量测量电路中,应注意动态阻抗对短期负载变化的影响,必要时外加缓冲器或运放。
  • 对低漏电要求的便携式设备,Ir = 100nA 的低漏特性是优势,但仍需在系统级评估总漏电。

七、可靠性与替代型号

BZV55 系列为通用小功率稳压二极管系列,市场上同类型号众多,挑选时可比较稳压范围、阻抗、漏电和最大耗散等参数。批量采购时建议向供应商索取完整数据手册和批量一致性/老化测试记录以评估可靠性。

总结:BZV55C12(LGE,SOD-80)以其 12V 标称稳压、低漏电和 500mW 的功耗等级,适合各种小功率稳压、钳位和保护用途。设计时重视热管理、限流设计和稳压容差,即可在商业电子或工业控制等场合获得稳定可靠的性能。

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