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BZV55C3V3
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BZV55C3V3

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Microchip Technology

品牌:

Microchip Technology

型号:

BZV55C3V3

编号:

L58681430

包装:

-

批号:

-

封装:

DO-213AA

描述:

-

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 稳压二极管
二极管配置 独立式
稳压值(标称值) 3.3V
反向电流(Ir) 2uA@1V
稳压值(范围) 3.1V~3.5V
耗散功率(Pd) 500mW
阻抗(Zzt) 85Ω

PDF描述：SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODE 0.5 WATT, 2.4 THRU 75 VOLTS 【 5ANCE 表面贴装硅稳压二极管0.5瓦， 2.4 THRU 75伏± 5ANCE

产品概述

BZV55C3V3 产品概述

一、产品简介

BZV55C3V3 是鲁光（LGE）出品的独立式稳压二极管，标称稳压值 3.3V（允许范围 3.1V~3.5V），用于低功耗电压基准和浪涌吸收场合。器件封装为 SOD-80，适合表面贴装工艺。

二、主要特性

  • 稳压值（标称）：3.3V（范围 3.1V ~ 3.5V）
  • 最大耗散功率 Pd：500 mW（环境与散热条件相关需降额）
  • 反向漏电流 Ir：2 μA @ 1V
  • 稳压阻抗：Zzt = 85 Ω；Zzk = 600 Ω（代表稳压区与拐点处的阻抗特性）
  • 工作结温范围：-65 ℃ ~ +200 ℃
  • 封装：SOD-80（小型表面贴装）
  • 应用：低功耗基准、信号钳位、浪涌吸收、偏置电路

三、电气特性说明

Zzt（测试稳态阻抗）较低表明在规定工作电流下输出电压随电流变化不大；Zzk（拐点阻抗）较高表示在接近击穿起始区电压波动较敏感。Ir 给出器件在低电压下的泄漏水平，适合要求低静态电流的电路。

四、热与环境特性

额定耗散 500 mW 是在特定散热条件下的最大值。实际应用中需根据电路布局和PCB散热能力进行降额，避免长期接近极限功耗。器件宽工作结温（-65 ℃ ~ +200 ℃）适用于高温或工业级应用场合，但高温下漏电流与稳压特性会有变化，应在设计时考虑温度影响。

五、封装与可靠性

SOD-80 封装体积小、适合自动贴装与回流焊工艺。常规可靠性试验（温度循环、储存寿命、焊接耐受性）应满足应用要求。对焊接热应力、溢流电流及静电敏感度等应按生产工艺控制。

六、典型应用场景

  • 电源参考与局部稳压（小电流）
  • 输入钳位与过压保护
  • 模拟电路偏置、传感器前端参考
  • 电池供电与便携设备的低功耗电压基准

七、设计与使用建议

采用串联限流电阻与稳压二极管并联到地的经典方案：R = (Vin − Vz) / Iz。举例（仅供参考）：若 Vin = 5V，Vz ≈ 3.3V，取 Iz = 5 mA，则 R ≈ 340 Ω，稳压二极管功耗约 3.3V × 5 mA = 16.5 mW，远低于最大耗散 500 mW。选取 Iz 时兼顾稳压精度与功耗；在浪涌或短路情况下应保证限流电阻与器件功耗限值不会被超越。

八、质量与测试建议

在量产前建议参考完整数据手册进行 IZT、IZK、温度系数、瞬态响应与极限参数测试。对关键应用可做老化与环境应力测试，验证在高温、低温及脉冲条件下的稳定性与寿命。

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