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DTA043EEBTL

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Rohm Semiconductor

品牌:

Rohm Semiconductor

型号:

DTA043EEBTL

编号:

L58705881

包装:

-

批号:

-

封装:

SC-89,SOT-490

描述:

-

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 数字晶体管
晶体管类型 -
集射极击穿电压(Vceo) 50V
集电极电流(Ic) 100mA
耗散功率(Pd) 150mW
直流电流增益(hFE) 20@5mA,10V
最小输入电压(VI(on)) 2.2V
最大输入电压(VI(off)) 1.8V
输出电压(VO(on)) 150mV
输入电阻 4.7kΩ
电阻比率 1
工作温度 -55℃~+150℃

PDF描述:Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, EMT3F, SC-89, 3 PIN

产品概述

DTA043EEBTL 产品概述

产品简介

DTA043EEBTL 是罗姆(ROHM)公司推出的一款高性能数字晶体管,采用表面贴装型(SMD)设计,封装类型为 EMT3F(SOT-416FL),该产品专为需要低功耗和高效率的应用而设计。作为一款PNP预偏置晶体管,其工作电流(Ic)最大可达100mA,集射极击穿电压(Vceo)最高为50V,适合多样化的电子电路设计,尤其在低功耗放大及开关应用方面表现出色。

主要参数

  1. 晶体管类型:DTA043EEBTL 为 PNP 型晶体管,适用于需要将负载连接至负电源的电路设计。
  2. 最大集电极电流(Ic):该晶体管的集电极最大电流为100mA,可以满足大部分小型电路的需求,确保在不同的负载情况下稳定工作。
  3. 击穿电压(Vceo):最大集射极击穿电压为50V,提供了良好的抗击穿能力,为电路提供了安全保障。
  4. 功率处理能力:最大功率为150mW,确保在长时间工作时不易过热,从而提高了应用的可靠性。
  5. 频率响应:该晶体管的跃迁频率为250MHz,使其能够在高频应用中也能保持良好的性能。

电路参数

  1. 直流电流增益(hFE):在输入电流(Ib)为5mA时,得到的最小直流电流增益为20,这表明即使在近期较低工作电流下,仍能保持有效的信号放大能力。
  2. 基极和发射极电阻:设备配备4.7kΩ的基极电阻(R1)和发射极电阻(R2),这将增加设计的灵活性,使得电路可以根据具体需求进行调节与优化。
  3. 饱和压降:在500µA和5mA的条件下,最大Vce饱和压降为150mV,这指示在工作过程中晶体管保持高效切换性能,降低了功耗损耗。

应用场景

DTA043EEBTL 晶体管适合于各类电子设备中,特别是在开关电路、信号放大电路以及数字电路中,能够有效被用于控制大电流负载或实现电信号的高效放大。同时,由于其抗击穿能力和高频响应特性,它在高频数字信号处理和通信设备中也有良好的应用前景。

封装与安装

DTA043EEBTL 采用 SOT-416FL 封装,其小巧的尺寸使其可以轻松集成到密集的电路板设计中。表面贴装型的设计不仅能有效节省板上空间,还能提高生产效率,降低成本,适合大规模生产应用。

总结

DTA043EEBTL 是罗姆公司推出的一款优质PNP预偏置晶体管,凭借其合理的电气参数和有效的设计,使其在小型电子设备、开关电源及信号放大等多个领域中得到广泛的应用。其小型封装和高效性能为多样化的电路设计提供了良好的解决方案,是电子工程师和设计师的理想选择。无论是在消费电子、通信设备还是工业控制系统中,DTA043EEBTL 都能展现出卓越的性能和可靠性。

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