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首页 > 肖特基二极管 > NSR0320MW2T1G
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NSR0320MW2T1G

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ONSEMI

品牌:

ONSEMI

型号:

NSR0320MW2T1G

编号:

E006332

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

肖特基二极管, 900mA, 23V, SOD-323-2

  • 产品参数
  • 数据手册PDF
  • 产品概述

PDF描述:Schottky Barrier Diodes 肖特基势垒二极管

NSR0320MW2T1G 产品概述

一、产品简介

NSR0320MW2T1G(品牌:DOWO/东沃)为小尺寸表面贴装整流器,SOD-323封装。其主要电气参数为:正向压降 Vf = 750mV(@3.0A)、整流电流 IF(ave) = 1A、非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 9A、额定直流反向耐压 Vr = 20V、反向电流 Ir = 1mA(测量条件 30V)。该器件适用于低压、小功率的整流与保护场合,兼顾较高的浪涌承受能力与小型化封装要求。

二、主要电参数解读

  • 正向压降 750mV(3A):在较大工作电流时会有明显功耗(P ≈ Vf×I),设计时需考虑电压降和发热对系统效率的影响。
  • 整流电流 1A:适合持续工作电流在1A及以下的小功率应用。
  • 峰值浪涌 9A(非重复):具备较好的抗浪涌能力,可承受短时充电、电源启动或输入瞬态电流冲击。
  • 反向耐压 20V:适用于低压电源轨或作反向保护元件,不适合高压工况。
  • 反向电流 1mA@30V:在反向电压较高时泄漏电流偏大,设计时需注意在高温或较高反向偏压下的漏电影响。

三、优势与设计要点

  • 小尺寸、低封装高度,适合集成度要求高的便携与移动设备。
  • 峰值浪涌能力好,适合存在瞬态高电流的场合如电池接入、输入整流或短时反向冲击。
  • 由于Vf在高电流下接近0.75V且封装热阻较大,长时间1A工作时应控制热源和环境温度,必要时采取散热或减载措施。
  • 反向泄漏偏大时,若电路对待机电流敏感,应考虑并联低漏电元件或选用低Ir的替代型号。

四、封装与热管理

SOD-323为超小型贴片封装,便于密集贴装但热量通过PCB传导有限。推荐的做法包括:在PCB焊盘处增加铜箔面积或开设热过孔以改善散热;在布局上靠近热源时预留热管理空间;对长期1A以上或高环境温度使用场合应考虑降额以保证可靠性。

五、典型应用场景

  • 低压整流与二极管保护(电源输入、USB/充电接口的反向保护)
  • 电池管理与电源路径控制(便携设备、移动电源)
  • 开关电源输出整流(小功率DC-DC后级)
  • 浪涌承受场合的缓冲与保护元件

六、使用与采购建议

  • 在实际设计前,请参考厂方完整数据手册以获取温度特性、最大结温、回流焊工艺参数和应力限制等详细信息。
  • PCB布局时注意散热与焊盘设计,必要时选择更大封装或并联器件以降低结温。
  • 对反向泄漏敏感的应用,应评估在最高工作电压与温度下的漏电影响,必要时选用低Ir型号。
  • 采购时确认生产批次与质量认证,关注封装标识与出货形式(带卷/单件)以便SMT生产。

(以上信息基于提供的主要参数整理,具体电气、机械和可靠性数据应以东沃正式数据手册为准。)

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