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首页 > 肖特基二极管 > RB521S30T1G
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RB521S30T1G

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ONSEMI

品牌:

ONSEMI

型号:

RB521S30T1G

编号:

E006335

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

肖特基二极管, 200mA, 30V, SOD-523-2

  • 产品参数
  • 数据手册PDF
  • 产品概述

PDF描述:Schottky Barrier Diode 肖特基二极管

RB521S30T1G-DW 产品概述

一、产品简介

RB521S30T1G-DW 是东沃(DOWO)推出的一款小型表面贴装二极管,采用 SOD-523 超小封装,面向空间受限和高密度电路板设计。该器件为单只独立型整流/保护用二极管,兼顾低正向压降与低反向泄漏,适用于便携式设备与各类低功耗电源路径保护场合。

二、主要电气参数

  • 正向压降 Vf:0.5 V @ IF = 200 mA
  • 直流反向耐压 VR:30 V(最大)
  • 连续整流电流 IF:200 mA
  • 反向电流 IR:30 μA @ VR = 10 V
  • 非重复峰值浪涌电流 Ifsm:1 A(瞬态、非重复)

这些参数表明器件在 200 mA 级别的低功耗整流与保护场景中,能够提供较低的功率损耗与较小的泄漏电流。

三、封装与机械特性

  • 封装形式:SOD-523(超小型表面贴装)
    SOD-523 封装占板面积小,适合移动终端、智能穿戴与高密度模块化电路。该封装支持常规 SMT 自动贴装与回流焊工艺,便于高速生产线集成。

四、核心特性

  • 小型化:SOD-523 封装,节省 PCB 面积,便于紧凑布板。
  • 低正向压降:0.5 V(200 mA)降低导通损耗,提高能效,适合电池供电或低压差路径。
  • 低反向电流:30 μA@10 V,有利于降低待机及漏电损耗。
  • 合理的浪涌能力:1 A 非重复峰值浪涌电流,可承受一般瞬态冲击。
  • 高可靠性:设计与制造工艺针对长期稳定性与批量一致性优化,适合消费电子与工控类产品。

五、典型应用场景

  • 便携设备电源路径整流与反向保护(智能手机、平板、蓝牙配件等)
  • 电池充放电路径保护与二极管 ORing(低电流场合)
  • LED 驱动器的小电流整流与保护
  • 低功耗传感器模块、可穿戴设备、物联网终端等对漏电和体积敏感的电子系统

六、使用注意事项

  • 连续工作电流建议在 200 mA 或以下运行,并考虑环境温度对额定值的降额影响。
  • 反向电流会随温度上升而增加,设计时应留有足够余量以满足系统静态功耗要求。
  • Ifsm 为非重复峰值浪涌电流,不能作为重复或长时间冲击载荷使用,防止损坏器件。
  • 焊接与回流工艺请参考厂商推荐的温度曲线与焊盘设计以保证焊接质量与长期可靠性。

七、订购信息与可靠性

  • 型号:RB521S30T1G-DW(品牌:DOWO / 东沃)
  • 封装:SOD-523,单只独立器件包装形式(具体包装卷带/盘装信息请参见厂商资料)
  • 可靠性:面向消费类与轻工业应用,制造过程控制与品质测试确保良好的一致性与可靠性。欲获取更详尽的可靠性数据(如温度循环、寿命试验等)或样品与技术支持,请联系东沃官方或授权分销渠道。

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