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LM4558N

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TAEJIN

品牌:

TAEJIN

型号:

LM4558N

编号:

L63611199

包装:

-

批号:

-

封装:

8-DIP(0.300",7.62mm)

描述:

-

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 运算放大器
放大器数 双路
最大电源宽度(Vdd-Vss) 44V
轨到轨 -
增益带宽积(GBP) -
输入失调电压(Vos) 6mV
输入失调电压温漂(Vos TC) -
压摆率(SR) -
输入偏置电流(Ib) 500nA
输入失调电流(Ios) -
噪声密度(eN) -
共模抑制比(CMRR) 90dB
输入失调电流温漂(Ios TC) -
静态电流(Iq) -
输出电流 -
工作温度 0℃~+70℃
单电源 15V~22V
双电源(Vee~Vcc) -22V~22V

PDF描述:DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS 双运算放大器

产品概述

LM4558N 双运算放大器 产品概述

一、产品简介

LM4558N是由HGSEMI(华冠)推出的双通道运算放大器,内部包含两个独立的、高增益且经过内部频率补偿的放大器单元。器件既适合宽电源电压范围的单电源工作,也可用于对称双电源供电场合。在推荐工作条件下,电源电流与电源电压基本无关,便于在多种系统中稳定使用。

二、主要参数

  • 放大器数:2(双运算放大器)
  • 最大电源宽度 (Vdd−Vss):44 V
  • 单电源电压:15 V ~ 22 V
  • 双电源电压 (Vee ~ Vcc):-22 V ~ +22 V
  • 增益带宽积 (GBW):1 MHz(内部补偿,适合低频至中频放大)
  • 输入失调电压 (Vos):6 mV
  • 输入偏置电流 (Ib):500 nA
  • 输入失调电流 (Ios):5 nA
  • 共模抑制比 (CMRR):90 dB(良好的直流共模抑制能力)
  • 静态电流 (Iq):3.5 mA(器件静态工作电流)
  • 最大输出电流:30 mA
  • 工作温度范围:0 ℃ ~ +70 ℃

三、功能特点

  • 内部频率补偿,保证器件在单位增益下稳定工作;易于构建缓冲器、低增益放大电路。
  • 宽电源电压范围(最大44 V)可支持较大信号摆幅和多种电源方案。
  • 低静态功耗(Iq≈3.5 mA)适合对功耗敏感但需双通道的应用。
  • 良好的共模抑制和较小的输入失调,适合传感器前端和直流增益放大场合。
  • 输出驱动能力达30 mA,可驱动小功率负载或后级器件。

四、典型应用

  • 传感放大器与信号调理(电压/电流传感器前端)
  • 直流增益模块、仪表放大器的前置级
  • 主动滤波器、积分器与低频反馈控制电路
  • 线路驱动和信号缓冲(非大电流驱动场合)

五、设计与使用建议

  • 频宽计算:闭环带宽约等于 GBW / 闭环增益。例如闭环增益为10时,带宽约为100 kHz,应根据带宽要求选择合适增益。
  • 供电旁路:在电源管脚附近并联0.1 μF(陶瓷)与1 μF(电解或钽)旁路电容,以抑制电源噪声与瞬态。
  • 失调校正:若用于高精度直流放大,应考虑失调电压(Vos≈6 mV)对系统输出的影响,必要时采用外部偏置或后端调零。
  • 输入/输出摆幅:器件并非轨到轨输入/输出,设计时应留出足够裕量,避免靠近电源轨工作。
  • 热与可靠性:在接近最大输出电流与大电源摆幅时注意功耗与封装散热,确保环境温度在0~70 ℃范围内。

六、封装与品牌信息

  • 品牌:HGSEMI (华冠)
  • 常见封装:DIP-8 / SOP-8(根据具体出货型号确认实际封装,当前信息封装类型标注为未知时应向供应商确认)

七、注意事项与总结

LM4558N以其双通道、内部补偿与宽电源支持的特性,适合多数需要稳定直流放大与中低频信号处理的场合。设计时应重点关注输入失调、带宽限制与输出驱动能力,做好电源去耦与热管理,可在传感放大、直流增益模块和通用模拟前端中获得可靠表现。若需更高精度、低噪声或更宽频带的方案,可按系统要求在系列产品中比较选择。

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