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IS25LP080D-JNLE-TR

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

品牌:

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

型号:

IS25LP080D-JNLE-TR

编号:

L63964201

包装:

-

批号:

-

封装:

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

描述:

-

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 NOR FLASH
接口类型 SPI
存储容量 -
时钟频率(fc) 133MHz
工作电压 2.3V~3.6V
页写入时间(Tpp) 200us
数据保留 - TDR(年) 20年
工作温度 -40℃~+105℃

PDF描述: FLASH - NOR 存储器 IC 8Mb SPI - 四 I/O,QPI,DTR 133 MHz 8-SOIC

产品概述

IS25LP080D-JNLE-TR 产品概述

IS25LP080D-JNLE-TR 是一款由美国芯成(ISSI)制造的高性能 NOR 闪存器,具有 8Mb 的存储容量,采用了 SPI(Serial Peripheral Interface)接口,特别适合需要快速存取和非易失性存储需求的各种应用场景。该产品以其优越的性能和广泛的工作温度范围,成为市场上备受欢迎的选择之一。

1. 开发背景与应用领域

在电子设备中,存储器的选择对系统性能和可靠性至关重要。IS25LP080D-JNLE-TR 的设计考虑了现代电子产品对存储器的需求,如智能手机、嵌入式系统、工业设备、消费电子以及汽车电子等。该产品能够在极端的工作环境下稳定运行,适合用于汽车仪表、工业自动化控制、POS 终端、智能家居设备及更多应用场景。

2. 存储器规格与性能

IS25LP080D-JNLE-TR 存储器采用 NOR 闪存技术,具有以下关键规格:

  • 存储容量:8Mb(1M x 8),提供足够的空间以存储应用程序、配置数据和其他关键数据。
  • 存储器接口:支持 SPI 四 I/O、QPI(Quad Peripheral Interface)和 DTR(Dual Transfer Rate),实现快速数据传输,提升数据访问速度和效率。
  • 写周期时间:每字节或每页的写入时间为 800µs,有效支持快速读写操作。
  • 时钟频率:最高可达 133MHz,确保高速数据传输,适合高性能应用。
  • 工作电压:工作电压范围为 2.3V 至 3.6V,使其兼容多种供电系统,适配于不同的嵌入式设计。
  • 工作温度范围:-40°C 至 105°C 的宽广温度范围,确保设备在严苛环境下仍能可靠工作。

3. 安装与封装

IS25LP080D-JNLE-TR 采用 8-SOIC 表面贴装型封装,这种封装形式有助于在紧凑的PCB设计中节省空间,同时提供良好的散热性能和电气性能。此外,表面贴装技术(SMT)使得自动化生产更加高效,提升了生产过程中装配的一致性和可靠性。

4. 性能优势

IS25LP080D-JNLE-TR 的主要优势包括:

  • 非易失性存储:即使在断电的情况下,该存储器也能够保留存储的数据,提供高可靠性的数据存储解决方案。
  • 快速的数据传输速度:高达 133MHz 的时钟频率和 800µs 的写周期时间使得数据读取和写入速度显著提高,支持快速的系统响应时间。
  • 宽广的工作温度范围:-40°C 至 105°C 的温度范围允许该产品在各种极端环境中使用,特别适合工业和汽车领域。
  • 丰富的接口选项:支持多种传输模式,如 SPI、QPI 和 DTR,为设计人员提供灵活的选择以满足特定的应用需求。

5. 结论

总体而言,IS25LP080D-JNLE-TR 是一款具备高性能、高可靠性的 NOR 闪存产品,非常适合用于要求快速数据存取和高环境适应性的应用场合。其稳定的性能和广泛的应用范围,使其成为现代电子设备中不可或缺的一部分。无论是在工业控制、消费电子,还是智能自动化设备中,IS25LP080D-JNLE-TR 都能为设计师提供强大的技术支持,帮助他们实现更高效和更可靠的系统设计。

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