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GD25Q80EEIGR

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Gigadevice Electronics Singapore PTE.LTD.

品牌:

Gigadevice Electronics Singapore PTE.LTD.

型号:

GD25Q80EEIGR

编号:

L63965286

包装:

-

批号:

-

封装:

8-XFDFN 祼焊盘

描述:

-

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 NOR FLASH
接口类型 SPI
存储容量 8Mbit
时钟频率(fc) 133MHz
工作电压 2.7V~3.6V
页写入时间(Tpp) 400us
块擦除时间(tBE) -
数据保留 - TDR(年) 20年
工作温度 -40℃~+85℃

PDF描述: FLASH - NOR 存储器 IC 8Mb SPI - 四 I/O 133 MHz 7 ns 8-USON(2x3)

产品概述

GD25Q80EEIGR 产品概述

一、概述

GD25Q80EEIGR 是北京兆易创新(Gigadevice)推出的一款 8Mbit SPI NOR Flash 器件,工作时钟可达 133MHz,工作温度范围为 -40℃ 至 +85℃,适用于工业级和消费级嵌入式存储与代码存放场景。器件封装为 USON-8-EP(2x3),带有裸露散热焊盘,便于热量释放与接地。

二、主要规格

  • 存储容量:8 Mbit(1 MByte)
  • 接口类型:SPI(高频 133MHz)
  • 工作电压:2.7V ~ 3.6V(兼容 3.3V 体系)
  • 工作温度:-40℃ ~ +85℃
  • 页写入时间(Tpp):400 μs(典型)
  • 擦写寿命:100,000 次
  • 数据保存期(TDR):20 年
  • 待机电流:11 μA

三、性能与可靠性

此器件在 133MHz 时钟下可提供较高的读取带宽,适合代码执行型或高速数据读取应用。100k 次擦写和 20 年的数据保持保证了长期可靠性,适合需要频繁固件升级或长期出厂数据保持的场合。低待机电流(11 μA)利于电池供电设备降低静态功耗。

备注示例计算(基于常见 256 字节页大小,若实际页大小不同以数据手册为准):1 MByte / 256 B = 4096 页;全部顺序写入时间约为 4096 × 400 μs ≈ 1.64 s(忽略命令与等待开销)。

四、典型应用

  • MCU 启动/引导存储(Boot ROM / 执行在外部闪存)
  • 固件升级与备份存储
  • 配置参数、校准数据与日志保存
  • 工业控制、网络设备、物联网终端等需长期数据保持与高可靠性的场景

五、设计与布局建议

  • 电源去耦:VCC 附近放置 0.1 μF 陶瓷电容并靠近封装引脚,减少高频抖动。
  • 信号完整性:SCLK 与 MOSI/MISO 走线尽量短且并行匹配,必要时在 SCLK 串联小电阻(10–33 Ω)抑制反射。
  • CS/HOLD/WP 管脚:按系统需要加上上拉/下拉,避免上电时未知状态。
  • 曝露焊盘(EP):焊接到大地平面,有助于散热与可靠焊接;焊盘下建议开地通孔或铺铜。
  • 电平匹配:器件供电 2.7–3.6V,外部 MCU IO 电平需兼容该范围或通过电平移位处理。

总结:GD25Q80EEIGR 以其工业级温度、较高的时钟速率、长期数据保持与高擦写耐久性,适合对可靠性和读取性能有要求的嵌入式存储应用。在系统集成时,请参考完整芯片手册进行命令序列、电源时序与封装焊接注意事项的最终确认。

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