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IS25WP080D-JNLE-TR
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IS25WP080D-JNLE-TR

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

品牌:

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

型号:

IS25WP080D-JNLE-TR

编号:

L63968346

包装:

-

批号:

-

封装:

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

描述:

-

数据手册
  • 产品参数
  • 数据手册PDF

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 NOR FLASH
接口类型 SPI
存储容量 -
时钟频率(fc) 133MHz
工作电压 1.65V~1.95V
擦写寿命 100000次
页写入时间(Tpp) 800us
块擦除时间(tBE) -
数据保留 - TDR(年) 20年
工作温度 -

PDF描述： FLASH - NOR 存储器 IC 8Mb SPI - 四 I/O，QPI，DTR 133 MHz 8-SOIC

产品概述

IS25WP080D-JNLE-TR 产品概述

一、产品简介

IS25WP080D-JNLE-TR 为 ISSI（美国芯成）推出的一款低压高性能 SPI NOR Flash 存储器，容量 8Mbit（1MByte），工作电压范围 1.65V ~ 1.95V，采用 8-SOIC 封装，面向对尺寸、功耗和可靠性有较高要求的嵌入式系统与便携终端应用。

二、主要规格（要点）

  • 接口类型：SPI（标准串行外围接口）
  • 存储容量：8 Mbit（1 MByte）
  • 最大时钟频率（fc）：133 MHz
  • 工作电压：1.65 V ~ 1.95 V（低压供电，适合电池供电系统）
  • 待机电流：典型 8 μA（低功耗待机）
  • 擦写寿命：100,000 次（典型）
  • 页写入时间 Tpp：800 μs（典型）
  • 数据保留（TDR）：20 年
  • 封装：8-SOIC

三、关键特性与优势

  • 低电压工作：1.65–1.95V 供电范围支持更长的电池供电时间，适合便携与物联网设备。
  • 高速读出：最高 133 MHz 时钟频率，可满足启动、代码执行或高速数据读取需求。
  • 可靠耐用：100k 擦写寿命与 20 年数据保持为长期产品和工业级应用提供可靠性保证。
  • 低功耗特性：待机电流约 8 μA，有利于待机与休眠场景下的能耗控制。
  • 小封装便于集成：8-SOIC 封装兼顾了焊接可靠性与 PCB 布局友好性。

四、典型应用场景

  • 嵌入式固件存储、系统引导（Boot ROM）
  • 物联网终端、可穿戴设备与电池供电设备
  • 工业控制器与仪表的程序与参数存储
  • 消费电子、智能家居控制模块

五、设计与布局建议

  • 电源完整性：在 VCC 近端放置 0.1 μF 陶瓷去耦电容，必要时并联更大电容以抑制瞬态电流。
  • SPI 信号：CLK、MOSI、MISO 和 CS 的走线应尽量短且避免长并行走线，必要时加终端或匹配措施以保证 133 MHz 下信号完整性。
  • 供电顺序与 IO 电平：系统需保证 IO 与 Flash 的电压兼容，注意复位/片选时序以避免总线竞争。
  • 写保护与擦写策略：合理利用软件层的写保护机制与擦写均衡，避免同一地址频繁擦写以延长寿命。
  • 温度与可靠性：按照应用环境评估数据保持与擦写寿命，必要时采取冗余或校验机制保障数据安全。

六、封装与采购信息

型号为 IS25WP080D-JNLE-TR，标准 8-SOIC 封装，便于常规 SMT 流程生产。若有批量采购或特殊包装（如卷带）要求，请与供应商确认具体交付代码与最小起订量。

七、总结

IS25WP080D-JNLE-TR 是一款面向低压、低功耗与高可靠性场景的 8Mbit SPI NOR Flash，兼顾了高速读写性能与耐用性，适用于引导存储、参数保存和小容量程序存储等嵌入式应用。在系统集成时重点关注电源去耦、信号完整性和擦写管理，可发挥其稳定可靠的性能表现。

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