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W631GG6NB-12

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Winbond Electronics

品牌:

Winbond Electronics

型号:

W631GG6NB-12

编号:

L63976458

包装:

-

批号:

-

封装:

96-VFBGA

描述:

IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA

  • 产品参数

详细描述:SDRAM - DDR3 存储器 IC 1Gb SSTL_15 800 MHz 20 ns 96-VFBGA(7.5x13)


产品参数

产品属性 属性值
DigiKey 可编程 未验证
供应商器件封装 96-VFBGA(7.5x13)
写周期时间 - 字,页 15ns
制造商 Winbond Electronics
包装 托盘
基本产品编号 W631GG6
存储器接口 SSTL_15
存储器格式 DRAM
存储器类型 易失
存储器组织 64M x 16
存储容量 1Gb
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 96-VFBGA
工作温度 0°C ~ 95°C(TC)
技术 SDRAM - DDR3
时钟频率 800 MHz
电压 - 供电 1.425V ~ 1.575V
系列 -
访问时间 20 ns
零件状态 停产

产品概述

华邦W631GG6NB-12 DDR3 SDRAM产品概述

一、核心定位与基本规格

华邦W631GG6NB-12是一款遵循JEDEC DDR3标准的高速动态随机存储器(SDRAM),定位于中等容量、宽温适应的嵌入式及消费电子应用。核心基本规格如下:

  • 存储容量:1Gbit(换算为128MB可用容量,1Gbit=1024Mbit,1Mbit=1/8MB);
  • 架构类型:DDR3(Double Data Rate 3)双倍数据率架构;
  • 内存时钟:800MHz;
  • 品牌与型号:WINBOND(华邦)W631GG6NB-12。

二、关键性能参数

该型号性能围绕DDR3技术特性设计,兼顾传输效率与功耗平衡:

  1. 数据传输速率:采用双倍数据率技术,内存时钟800MHz对应实际数据速率为1600Mbps(即DDR3-1600),相比DDR2同频率提升传输效率近1倍;
  2. 位宽与带宽:适配96-VFBGA封装,通常采用x8位宽设计,理论最大传输带宽为1600MB/s(1600Mbps×8bit÷8bit/byte),满足中速数据读写需求;
  3. 工作电压:支持1.425V~1.575V宽电压范围,典型工作电压1.5V,符合DDR3标准电压要求,可应对电源波动;
  4. 预取架构:采用DDR3标准8n预取架构,一个时钟周期内完成8个数据位的预取与传输,提升读写响应速度。

三、封装与物理特性

采用96引脚VFBGA(Very Fine Pitch Ball Grid Array)封装,具有以下优势:

  • 紧凑尺寸:封装尺寸约为8mm×10mm×1.2mm,引脚间距0.6mm,适合空间受限的小型化设备(如嵌入式板卡、便携式设备);
  • 散热与抗干扰:BGA封装散热性能优于传统TSOP封装,可有效降低工作温度;引脚布局优化,减少信号串扰,保障高速传输稳定性;
  • 可靠性:封装工艺符合工业级标准,可承受机械应力与环境变化。

四、工作环境与可靠性

产品针对宽温与复杂环境设计,可靠性表现突出:

  • 工作温度范围:0℃~+95℃,覆盖工业级宽温要求,可适应户外设备、工业控制等高低温场景;
  • 电压容差:1.425V~1.575V宽电压范围,应对电源波动能力强;
  • 品质验证:通过JEDEC DDR3标准测试、静电防护(ESD)、浪涌测试等,确保长期稳定运行,华邦提供原厂品质保障。

五、典型应用场景

凭借中等容量、高速传输与宽温适应特性,该型号广泛应用于:

  • 嵌入式系统:工业控制板、车载信息娱乐系统(适配0~95℃环境)、智能家居设备;
  • 网络通信:路由器、交换机、无线AP的缓存或主存模块;
  • 消费电子:机顶盒、打印机、多媒体播放器的高速数据存储;
  • 小型存储设备:便携式硬盘、U盘的缓存模块。

该产品以平衡的性能与可靠性,成为中低端嵌入式及消费电子领域的高性价比DDR3存储选择。

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