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IS25LP256D-JLLE-TR
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IS25LP256D-JLLE-TR

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

品牌:

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

型号:

IS25LP256D-JLLE-TR

编号:

L63977309

包装:

-

批号:

-

封装:

8-WDFN 祼焊盘

描述:

-

数据手册
  • 产品参数
  • 数据手册PDF

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 NOR FLASH
存储容量 -
时钟频率(fc) 166MHz
工作电压 2.7V~3.6V
页写入时间(Tpp) 200us
块擦除时间(tBE) -
数据保留 - TDR(年) 20年
工作温度 -

PDF描述： FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb SPI - 四 I/O，QPI，DTR 133 MHz 8-WSON（8x6）

产品概述

IS25LP256D-JLLE-TR 产品概述

IS25LP256D-JLLE-TR 是 ISSI（美国芯成）推出的一款高性能 256Mbit NOR Flash 存储器（32M x 8），采用 SPI 接口并支持 Quad I/O、QPI 与 DTR 模式，面向需要高速代码存取与可靠数据保存的嵌入式与消费类应用。

一、主要特性

  • 容量：256Mbit（32M x 8），适合存储固件、文件系统映像与大容量代码段。
  • 接口：标准 SPI，兼容 Quad I/O 与 QPI，支持双倍传输速率的 DTR 模式，实现更高带宽的数据读写。
  • 时钟能力：器件支持高频主控时钟（fc），典型工作频率可达 166MHz；在 DTR 模式下常见应用频率为 133MHz。
  • 电源范围：工作电压 2.3V ~ 3.6V，适应多种供电方案。
  • 保护与控制：硬件写保护、写使能锁存、软件写保护，上电复位与电源锁定保护（Power-Lock），提供多重写入与断电保护机制。

二、电气与性能参数

  • 待机电流：10 μA（典型），利于低功耗系统设计。
  • 页写入时间（Tpp）：200 μs（典型），适合快速编程操作。
  • 擦写寿命：100,000 次，满足长期反复更新的可靠性要求。
  • 数据保持（TDR）：20 年，保证固件与长期存储数据安全性。

三、封装与物理特性

  • 封装：8-WSON（8 x 6 mm），占板面积小，便于高密度 PCB 布局与热管理。
  • 引脚兼容性与布局利于在有限空间内完成电源与高速信号布线，注意遵循高速 SPI 布线规范以保证信号完整性。

四、应用场景

  • 嵌入式控制器与物联网终端：存放固件、启动加载器（bootloader）与配置信息。
  • 消费电子与多媒体设备：存储系统固件、资源文件与设备参数。
  • 网络与工业设备：用于固件冗余存储、现场升级（FOTA）与日志保存。
  • 支持执行在外（XIP）与快速启动要求的场合，通过 Quad/QPI/DTR 提升代码读取速度。

五、设计与使用建议

  • 电源管理：为保证上电复位与电源锁定保护功能发挥，建议在 VCC 上增加适当的去耦电容并遵循器件数据手册的上电时序。
  • 写保护策略：结合硬件写保护与软件写保护机制实现分级保护；在固件升级流程中确保正确使用写使能锁存命令以避免误写。
  • 时钟与信号完整性：高速 SPI 与 DTR 模式下需注意阻抗匹配、短走线和避免长地回路，必要时加入终端或串联电阻以抑制反射。
  • 擦写与寿命管理：合理分配擦写区域并采用磨损均衡策略，以延长整机可靠性。

六、采购与支持

  • 型号：IS25LP256D-JLLE-TR，品牌 ISSI（美国芯成）。
  • 封装：8-WSON（8x6）。在选型与大量生产前，建议索取样片与完整数据手册进行电气验证与软件驱动开发。

如需器件详细的时序图、命令集表或参照电路（VCC 去耦、上电时序、写保护接口接线范例），我可以帮助汇总关键页并给出布局与调试建议。

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