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IS34MW04G084-TLI

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详细描述：FLASH - NAND（SLC）存储器 IC 4Gb 并联 45 ns 48-TSOP I

产品参数

产品属性	属性值
DigiKey 可编程	未验证
供应商器件封装	48-TSOP I
写周期时间 - 字，页	45ns
制造商	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
包装	托盘
基本产品编号	IS34MW04
存储器接口	并联
存储器格式	闪存
存储器类型	非易失
存储器组织	512M x 8
存储容量	4Gb
安装类型	表面贴装型
封装、外壳	48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
工作温度	-40°C ~ 85°C（TA）
技术	FLASH - NAND（SLC）
电压 - 供电	1.7V ~ 1.95V
系列	-
访问时间	45 ns
零件状态	在售

PDF描述：Flash, 512MX8, PDSO48, TSOP1-48

产品概述

IS34MW04G084-TLI 产品概述

IS34MW04G084-TLI 是 ISSI（美国芯成）推出的一款高可靠性的 SLC NAND Flash 存储器，容量 4Gb（组织形式 512M × 8），采用 48 引脚 TSOP 封装，面向工业级嵌入式存储与代码/数据日志保存应用。器件支持并行接口，具备短写周期与快速页写入能力，适合对写入延迟和数据保留有较高要求的场合。

一、主要规格亮点

存储类型：NAND Flash（SLC）
容量：4 Gb（512M × 8）
工作电压：1.7 V ～ 1.95 V
写周期时间 (Tw)：45 ns
页写入时间 (Tpp)：300 μs（典型）
块擦除时间 (tBE)：3 ms（典型）
数据保留 (TDR)：10 年（典型）
封装：48-TSOP

二、功能特性与优势

SLC 单元结构带来更长的数据保持与更高的写擦耐久性，适合工业与嵌入式控制器对可靠性的需求。
并行接口与较短的写周期（Tw=45ns）为系统提供较低的写入延迟，页写入 300μs 可满足较高吞吐的连续写场景。
低电压工作（1.7–1.95V）有利于电源设计，适配低压系统与电池供电应用。

三、封装与系统集成

48-TSOP 封装，适合 PCB 紧凑布局，常见于工控主板、路由器、存储模块等。
集成到系统时需注意电源稳定性、时序与布线完整性，建议在电源引脚处放置合适的去耦电容并严格遵循器件数据手册的时序要求。

四、典型应用场景

工业控制与自动化设备的程序存储与参数保存。
嵌入式设备、网络设备固件与启动存储。
数据记录器、车载信息娱乐与其他要求长期数据保持与高可靠写入的场合。

五、设计注意事项

NAND Flash 特性决定了必须在系统中实现坏块管理、磨损均衡与 ECC（错误校正）机制，以保证长期可靠性与数据完整性。
关注供电上电/下电顺序与 I/O 保护，避免在非法电源状态下访问器件。
根据系统温度与工作环境选择合适的器件温度等级与封装焊接工艺，TSOP 封装需注意焊接热循环对可靠性的影响。

总结：IS34MW04G084-TLI 提供了高可靠性的 SLC 存储解决方案，结合短写延迟、较快页写时间与十年以上的数据保留特性，适合工业与嵌入式系统中对数据完整性与长期可靠性有严格要求的应用。购买与设计前建议参照 ISSI 官方数据手册获取完整时序、引脚定义与典型应用电路。

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