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LQW15AN18NG00D

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50+

¥ 0.317858

¥ 15.8929
500+

¥ 0.262753

¥ 131.3765
1500+

¥ 0.235149

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5000+

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muRata(村田)

品牌:

muRata(村田)

型号:

LQW15AN18NG00D

编号:

L64840534

包装:

-

批号:

-

封装:

0402

描述:

FIXED IND 18NH 370MA 0.27OHM SMD

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

详细描述:18 nH 无屏蔽 鼓芯,绕线式 电感器 370 mA 最大 270 毫欧 0402(1005 公制)


产品参数

产品属性 属性值
DC 电阻 (DCR) 最大 270 毫欧
不同频率时 Q 值 25 @ 250MHz
供应商器件封装 -
制造商 Murata Electronics
包装 卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® 得捷定制卷带
基本产品编号 LQW15AN
大小 、 尺寸 0.039" 长 x 0.024" 宽(1.00mm x 0.60mm)
安装类型 表面贴装型
容差 ±2%
封装、外壳 0402(1005 公制)
屏蔽 无屏蔽
工作温度 -55°C ~ 125°C
材料 - 磁芯 无磁性
特性 -
电感 18 nH
电感频率 - 测试 100 MHz
电流 - 饱和 (Isat) -
等级 -
类型 鼓芯,绕线式
系列 LQW15
零件状态 在售
频率 - 自谐振 4.5GHz
额定电流(安培) 370 mA
高度 - 安装(最大值) 0.024"(0.60mm)

PDF描述:Chip Inductor (Chip Coil) for High Frequency Horizontal Wire Wound 片式电感器(片状线圈),高频卧式绕线

产品概述

LQW15AN18NG00D 产品概述

产品简介

LQW15AN18NG00D 是由村田(muRata)公司生产的一款高性能功率电感,具备诸多优越的性能参数,广泛应用于高频和低频电路中,特别是在电源管理、射频(RF)和通信设备等领域。其卓越的电感值和较低的直流电阻,使其成为现代电子产品中不可或缺的组件之一。

基本参数

  • 电感值: 18nH
  • 额定电流: 370mA
  • 直流电阻(DCR): 270mΩ
  • 精度: ±2%
  • 容差: ±2%
  • 工作温度范围: -55°C ~ 125°C
  • 自谐振频率: 4.5GHz
  • 不同频率时的Q值: 25 @ 250MHz
  • 封装尺寸: 0402(1005公制),0.039"(长)x 0.024"(宽)、高度最大0.024"(0.60mm)

性能特点

  1. 高Q值性能: 在高频下(250MHz),LQW15AN18NG00D 的 Q 值达到25,表明其在高频应用中的效率较高,同时能够有效地降低功率损失。这使得它特别适用于 RF 应用,例如射频放大器和无线通信设备。

  2. 自谐振频率: 本产品的自谐振频率为4.5GHz,允许其在高频环境下保持良好的工作状态,且能防止因不必要的谐波效应而导致的信号干扰。

  3. 低直流电阻: 直流电阻为 270mΩ,这一特性意味着该电感在工作时会产生较小的热量,有效提高了能效,延长了元器件的寿命,并适合高效能的电源设计。

  4. 广泛的工作温度范围: 工作温度范围扶持-55°C至125°C,使其能够在极端的气候条件下稳定运行,适应各种工业和消费电子的严格需求。

  5. 小巧的外形: 0402 封装设计(相当于 1.00mm x 0.60mm)使其非常适合现代小型化设备的集成,为设计师提供了更多灵活性。其小巧的尺寸能够节省电路板空间,有助于开发更紧凑的产品。

  6. 材料特性: 此款电感采用无磁性材料,避免了可能磁场干扰带来的不良影响,保证了信号的纯净性和稳定性。

应用领域

LQW15AN18NG00D 的特点使其适用于多种应用场合:

  • 电源模块: 在开关模式电源(SMPS)中,低电阻和高Q值特性确保转换效率,减少能量损失。
  • 无线通信设备: 尤其在5G和射频设备中,该电感的高频特性和低热量效果尤为重要。
  • 消费类电子产品: 如智能手机、平板电脑和便携式设备,充分发挥小巧体积与高效能特性,有助于提高产品的整体性能。
  • 工业设备: 在工业自动化控制系统中,良好的温度适应性与可靠性是其重要的优势。

总结

综上所述,LQW15AN18NG00D 是一款优秀的表面贴装功率电感,凭借其高Q值、低直流电阻和紧凑的封装,为各种现代电子应用提供了极大的便利。其广泛的应用范围以及出色的性能,使其成为设计师在选择电感时的优先考虑对象,在推动电子元件向小型化和高性能发展过程中发挥了重要作用。

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