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D882

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EVVO

品牌:

EVVO

型号:

D882

编号:

L65421814

包装:

-

批号:

-

封装:

TO-243AA

描述:

-

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 三极管(BJT)
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic) 3A
集射极击穿电压(Vceo) 30V
耗散功率(Pd) 500mW
直流电流增益(hFE) 32@100mA,2V
特征频率(fT) 50MHz
集电极截止电流(Icbo) 1uA
集射极饱和电压(VCE(sat)) 500mV

PDF描述:(HAROM) TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors (芳族) TO- 92塑封装晶体管

产品概述

D882 NPN双极型三极管产品概述

一、产品基本定位与标识信息

D882是SHIKUES(时科) 推出的一款NPN型双极结型三极管(BJT),单颗封装为SOT-89-3(3引脚表面贴装封装),核心定位是低压小功率放大与开关场景。该器件通过明确的参数设计,兼顾了电流驱动能力与体积小型化需求,是消费电子、小型设备中常见的基础功率器件之一。

二、核心电气性能参数解析

D882的参数针对**≤30V低压、≤3A中等电流**场景优化,关键性能如下:

2.1 安全工作区域(SOA)参数

  • 集电极-发射极击穿电压(Vceo):30V(基极开路时,集电极与发射极间的最大反向耐压,确保低压电路不被过压击穿);
  • 最大集电极电流(Ic):3A(持续工作允许的最大电流,脉冲工况可短暂超调但需控制散热);
  • 最大耗散功率(Pd):500mW(器件允许的最大内部功耗,需严格控制Ic×Vce乘积不超过该值,避免过热损坏)。

2.2 直流特性参数

  • 直流电流增益(hFE):32@100mA/2V(集电极电流100mA、集射极电压2V时的增益,小信号放大场景下增益稳定);
  • 集射极饱和电压(VCE(sat)):500mV@2A/0.2A(基极电流0.2A、集电极电流2A时的饱和压降,开关应用中导通损耗低,效率较高);
  • 集电极截止电流(Icbo):1μA(发射极开路时,集电极-基极间的漏电流,漏电流小意味着低功耗待机场景性能稳定);
  • 射基极击穿电压(Vebo):6V(集电极开路时,发射极与基极间的最大正向耐压,需避免基极正偏电压超6V导致击穿)。

2.3 频率特性

  • 特征频率(fT):50MHz(放大倍数降为1时的截止频率,适合中低频(≤50MHz)放大与开关,如音频、低速数字电路)。

三、典型应用场景

D882的参数匹配性使其适用于以下常见场景:

  1. 低压小功率开关电路:3A电流能力可驱动小型继电器、LED灯组、小型电机等负载;500mV饱和压降降低导通损耗,适合电池供电的便携设备(如玩具、手持小电器);
  2. 音频小信号放大:50MHz特征频率覆盖音频频段(20Hz-20kHz),hFE增益稳定,可用于便携式音箱、耳机放大器的前置/后置放大;
  3. 电源模块辅助电路:30V耐压适合低压线性稳压电路的辅助调整管,或作为过流保护电路的开关管;
  4. 低速数字逻辑电路:配合电阻网络可实现简单逻辑门(如非门),适用于≤10MHz的数字控制场景。

四、封装与可靠性特点

  • SOT-89-3封装:体积小巧(约2.9×2.6×1.1mm),适合高密度PCB设计;3引脚布局为常见NPN配置(通常1=E、2=B、3=C,需参考 datasheet 确认);
  • 散热性能:相比SOT-23封装,SOT-89焊盘面积更大,散热效率更高,可支持2A左右持续电流(需配合PCB焊盘散热);
  • 可靠性:Icbo仅1μA,漏电流低,长期工作稳定性好;击穿电压裕量(30V)满足多数低压应用,不易因过压损坏。

五、使用注意事项

为确保器件正常工作,需注意以下要点:

  1. 电压限制:Vceo不超30V,Vebo不超6V(基极正偏电压需严格控制);
  2. 功率电流控制:持续工作时Ic×Vce≤500mW,长时间运行2A以上电流需增加散热焊盘或小型散热片;
  3. 静电防护:BJT对静电敏感,焊接时需佩戴静电手环,烙铁接地;
  4. 引脚识别:需参考官方datasheet确认引脚顺序,避免接反损坏器件。

整体来看,D882是一款性价比高、参数均衡的NPN三极管,适合低压小功率放大与开关应用,在消费电子、小型设备中具有广泛适用性。

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