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EMX1T2R

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Rohm Semiconductor

品牌:

Rohm Semiconductor

型号:

EMX1T2R

编号:

L65431173

包装:

-

批号:

-

封装:

SOT-563,SOT-666

描述:

-

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 三极管(BJT)
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic) 150mA
集射极击穿电压(Vceo) 50V
耗散功率(Pd) 150mW
直流电流增益(hFE) 120@1mA,6V
特征频率(fT) 180MHz
集电极截止电流(Icbo) 100nA
集射极饱和电压(VCE(sat)) 400mV
工作温度 -55℃~+150℃

PDF描述:Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, EMT6, 6 PIN

产品概述

EMX1T2R 产品概述

一、产品简介

EMX1T2R是一款高性能的NPN双极型晶体管,专为小功率应用而设计。其具有150mW的额定功率,最大集电极电流(Ic)为150mA,集射极击穿电压(Vce)为50V。作为一款表面贴装型的晶体管,EMX1T2R适用于高频率信号处理和开关应用,广泛应用于消费电子、通讯设备和工业控制等领域。

二、主要参数

  1. 额定功率: 150mW

    • 适合低功耗电路的设计。
  2. 集电极电流 (Ic): 最大150mA

    • 支持多种应用场景,如信号放大和开关控制,具有良好的负载能力。
  3. 集射极击穿电压 (Vce): 最大50V

    • 提供针对较高电压环境的可靠性,增强了设计的灵活性。
  4. 饱和压降:

    • 在不同集电极电流(Ic)下,Vce的饱和压降最大为400mV,提供优越的开关性能。
  5. 电流 - 集电极截止(ICBO): 最大100nA

    • 低电流电流特征使其在信号处理和放大时有更高的稳定性。
  6. DC电流增益 (hFE): 最小120 @ 1mA,6V

    • 确保在开关和放大状态下都能提供良好的增益特性。
  7. 频率: 跃迁频率高达180MHz

    • 适合高速信号处理,能够满足高频应用的需求。
  8. 工作温度: 最大150°C

    • 为高温环境下的应用提供了保障,具有良好的热稳定性。
  9. 封装类型: SOT-563,SOT-666,EMT6

    • 表面贴装的设计适合现代紧凑型电路板。

三、应用领域

EMX1T2R的广泛应用可以归功于其出色的电气性能,主要可以应用于如下领域:

  1. 消费电子: 适用于电视机、音响等消费类产品,用以驱动输出和信号放大。

  2. 通讯设备: 在手机、路由器等通讯产品中用作信号的放大和调制。

  3. 工业控制: 适合用于PLC、传感器的信号处理系统中,确保可靠的工作状态。

  4. 汽车电子: 随着电动汽车和智能汽车的兴起,EMX1T2R可用于电机驱动、传感器接口等多种汽车电子产品中。

四、总结

EMX1T2R是一款性能优越、适用范围广泛的NPN双极型晶体管,凭借其150mW的额定功率、150mA的集电极电流和50V的击穿电压,能够满足多种应用场景中的需求。其优秀的电流增益、低饱和压降和高跃迁频率,使其在高频信号处理、低功耗设计等方面表现突出。最重要的是,它能在高达150°C的高温环境下可靠工作,这使得EMX1T2R在严苛条件下同样能够发挥其效用。在选择适合的晶体管时,EMX1T2R无疑是一个值得考虑的优秀方案。

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