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CRZ16(TE85L,Q,M)

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Toshiba Semiconductor and Storage

品牌:

Toshiba Semiconductor and Storage

型号:

CRZ16(TE85L,Q,M)

编号:

L65469467

包装:

-

批号:

-

封装:

SOD-123F

描述:

-

  • 产品参数

产品概述

CRZ16(TE85L,Q,M) 产品概述

一、基本参数

CRZ16(TE85L,Q,M)为东芝(TOSHIBA)出品的稳压二极管,标称稳压值 16V,允许范围 14.4V~17.6V;最大耗散功率 Pd = 700mW;反向漏电流 Ir = 11 μA(测量点通常为 VR = 10V);静态或小信号阻抗 Zzt = 30Ω;工作结温范围为 -40℃ ~ +150℃;封装为 SOD-123F,适合表面贴装工艺。

二、主要特性

  • 额定稳压 16V,适用于中低功率的基准/稳压应用。
  • 700mW 的耗散能力在 SOD-123F 小封装中属于中等水平,适合板上分流稳压或电压钳位用途。
  • 较小的反向漏电(μA 级)适用于多数模拟电路,但在高阻抗测量回路中仍需考虑漏电影响。
  • 动态阻抗 30Ω 提示在大电流变化时电压会有明显波动,适合对精度要求不极高的场合。

三、电气性能解析

在最大额定耗散 Pd 下的大致稳压电流 Iz_max ≈ Pd / Vz = 700mW / 16V ≈ 43.8mA。实际工作中通常选择远低于该值的工作电流以降低热耗与温漂。动态阻抗 Zzt = 30Ω 表示电流每变化 1mA 时,稳压电压将变化约 30mV(近似线性区),因此对于需要较稳定基准电压的设计应考虑更低阻抗或精密参考源。

四、功率与热管理

尽管封装允许 700mW 的耗散,但在实际电路中需考虑 PCB 散热、环境温度与结温上升。应避免长期在 Iz 接近 Iz_max 的工况下使用;设计时参考器件完整数据手册中的热阻与功率降额曲线,尽量在环境温度较低及有良好散热路径的条件下运行,以延长可靠性与稳定性。

五、典型应用

  • 板上分流稳压(小电流参考/偏置)
  • 电压钳位与浪涌抑制(配合限流电阻)
  • 电源监控与保护电路中的参考电压源
    注意:在对电压精度和温漂敏感的电路中,应评估其动态阻抗与温度特性是否满足需求。

六、封装与装配建议

SOD-123F 封装适合自动贴装与回流焊流程。焊盘布线应尽量缩短接地与电源回路路径,必要时在靠近器件处增加铜面积以改善散热。对高温回流与清洗工艺兼容性请参照东芝官方封装与可靠性规范。

七、选型与注意事项

选用前确认实际工作电流范围与允许的电压精度。若电路对稳压精度、噪声或温漂要求较高,建议考虑低阻抗或更高精度的参考源。设计中务必按数据手册核对最大结温、热阻与降额曲线,留有安全裕量。

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