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DTC143EUA

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Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

品牌:

Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

型号:

DTC143EUA

编号:

L65520913

包装:

-

批号:

-

封装:

SC-70,SOT-323

描述:

-

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 数字晶体管
晶体管类型 -
集射极击穿电压(Vceo) 50V
集电极电流(Ic) 100mA
耗散功率(Pd) 200mW
直流电流增益(hFE) 20@10mA,5V
最小输入电压(VI(on)) 3V
输出电压(VO(on)) 300mV
输入电阻 6.11kΩ
电阻比率 -
工作温度 -55℃~+150℃

PDF描述:Digital transistors (built-in resistors) 数字晶体管(内置电阻)

产品概述

DTC143EUA 产品概述

一、产品简介

DTC143EUA 是 CJ(江苏长电/长晶)推出的一款预偏置数字晶体管(NPN),封装为小型 SOT-323。器件将基极预置电阻集成在封装内,便于直接与 MCU 或逻辑电平相连,用于驱动小功率负载、指示灯及低端电子开关场合,适用于空间受限的便携式与消费类电子产品。

二、主要参数

  • 集电极-发射极击穿电压 Vceo:50 V
  • 允许集电极电流 Ic:100 mA(最大)
  • 最大耗散功率 Pd:200 mW(Tj、环境布线与散热条件相关)
  • 直流电流增益 hFE:典型 20(测试条件:Ic = 10 mA,Vce = 5 V)
  • 输入端内置电阻:4.7 kΩ;电阻比率:1(器件内部预偏置结构)
  • 输入电压(导通阈值)VI(on):按厂家资料(示例条件)标注为 3 V @ Iin=20 mA,同时在小电流条件下可见约 0.3 V(请参照具体测试条件)
  • 输入电压(关断)VI(off):约 500 mV(测试条件:Iin = 100 µA,Vce = 5 V)
  • 输出导通电压 VO(on):约 300 mV @ Ic = 10 mA(另有条件下 0.5 V 标注,请参照详细数据)
  • 工作温度范围:-55 ℃ 至 +150 ℃

注:上述若干电气参数带有具体的测试条件,实际应用时应参考完整数据手册并在目标电路条件下验证。

三、功能特性与优势

  • 预偏置设计:集成输入限流/偏置电阻,简化外部电路设计,直接与 MCU 或 TTL/CMOS 逻辑接口连接。
  • 小封装:SOT-323 低体积,便于高密度 PCB 设计。
  • 适合低功耗开关:在小电流与中低电压条件下有较低的饱和压降(VO(on) 约 300 mV),开关效率较高。
  • 宽温度范围与较高的 Vceo(50 V),适应多种工业与消费类环境。

四、典型应用场景

  • MCU/逻辑电平直接驱动 LED、蜂鸣器、小型继电器(需在 Ic 限值内)
  • 作为开漏输出或低侧开关驱动元件,用于信号隔离与电平转换
  • 电路保护中作为限流/开关单元,便于实现简单驱动与控制功能

五、使用建议与设计注意事项

  • 严格限制集电极电流不超过 100 mA 且考虑 PD=200 mW 的热限;在连续较大电流工况下需改善 PCB 散热(加铜箔、热铜线、短布线)。
  • 虽然内置输入电阻,但在某些高干扰或特殊电平转换场景,仍建议在输入端增加外部滤波或限流元件以提升可靠性。
  • 注意 Vceo=50 V 的最大极限,避免过压导致击穿。
  • 在高速开关或脉冲大电流应用中,应评估瞬态性能与封装热阻,必要时选用额定更高的器件。
  • 参考器件数据手册中的具体测试条件(I、V 条件)进行电气验证,避免直接以典型值作为设计准则。

六、封装与可靠性

SOT-323 小型封装有利于紧凑布局,但散热能力有限。针对长期可靠性,建议在设计时预留合理安全裕度(电流与功耗留余量),并在高温环境下做温升评估。

七、选型提示

在选型时,若负载电流、功耗或工作电压接近或超过 DTC143EUA 的极限,应优先考虑额定更高的预偏置晶体管或使用外置偏置结构以分担功率。若需更详细的典型电路、引脚排列与测试曲线,请参考 CJ 官方数据手册或联系供应商获取完整资料。

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