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GBU4J

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Good-Ark Semiconductor

品牌:

Good-Ark Semiconductor

型号:

GBU4J

编号:

L65531073

包装:

-

批号:

-

封装:

4-SIP,GBU

描述:

-

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 整流桥
正向压降(Vf) 1V@4A
直流反向耐压(Vr) 600V
整流电流 4A
反向电流(Ir) 5uA@600V
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) 150A
工作结温范围 -55℃~+150℃

PDF描述:4.0 Ampere Bridge Rectifiers 4.0安培桥式整流器

产品概述

DIOTEC GBU4J整流桥产品概述

GBU4J是德欧泰克(DIOTEC)推出的GBU封装盒式整流桥,专为中低压电源系统设计,具备稳定的电气性能与宽环境适应性,可满足多种电子设备的整流需求。

一、产品基本信息

  • 品牌:DIOTEC(德欧泰克)
  • 产品型号:GBU4J
  • 分类:整流桥(Rectifier Bridge Diode)
  • 封装形式:GBU盒式4引脚(4-Pin Case GBU Box)
  • 核心定位:小功率(4A级)、中高压(600V级)整流桥

二、核心电气参数概览

GBU4J的关键参数均经严格测试,满足工业级应用要求,核心参数如下:

参数名称 典型值/额定值 测试条件 直流反向耐压(Vᵣ) 600V 直流反向 整流电流(I_F(AV)) 4A 直流平均电流 正向压降(V_F) 1V I_F=4A(额定电流下) 反向漏电流(Iᵣ) 5μA Vᵣ=600V(额定耐压下) 正向浪涌电流(I_FSM) 150A 8.3ms正弦波(标准浪涌) 结温工作范围(Tⱼ) -55℃ ~ +150℃ 芯片核心温度

三、正向特性参数详解

1. 低正向压降,减少功率损耗

GBU4J在额定整流电流(4A)下的正向压降仅为1V,处于同类产品领先水平。低压降可有效降低整流过程中的功率损耗,减少芯片发热,提升电源系统整体效率,适合对能效有要求的开关电源、适配器等场景。

2. 高浪涌承受能力,抗冲击性强

产品支持150A正向浪涌电流(8.3ms正弦波),能承受设备开机瞬间、负载突变或雷击等场景的瞬间大电流冲击,避免器件损坏,提升系统可靠性。

四、反向特性参数详解

1. 600V反向耐压,覆盖中低压场景

直流反向耐压达600V,可适配全球通用交流输入(85V~265V AC),无需额外串联器件,简化电路设计。

2. 极低反向漏电流,提升可靠性

在600V额定耐压下,反向漏电流仅为5μA(远低于同类产品≤10μA的典型值)。低漏电流减少反向截止时的功率损耗,避免器件因漏电流发热失效,延长使用寿命。

五、宽结温工作范围,适应严苛环境

GBU4J的结温范围为-55℃~+150℃,覆盖工业级环境的温度波动(如户外设备、车载电子、工业控制电源等)。结温是芯片核心温度,该范围确保极端温度下仍稳定工作,不会因过热/过冷失效。

六、典型应用场景

GBU4J因性能均衡、封装紧凑,广泛应用于:

  1. 小功率适配器:笔记本、显示器、路由器电源整流;
  2. 家用电器电源:电磁炉、洗衣机、空调室内机辅助电源;
  3. 小型工业电源:PLC、传感器电源模块;
  4. 太阳能微型逆变器:低功率光伏系统直流输出整流;
  5. 通信设备电源:小型基站、光纤收发器电源整流。

七、产品优势总结

GBU4J具备以下核心优势:

  • 能效高:低正向压降(1V@4A)减少损耗;
  • 可靠性强:低漏电流(5μA@600V)+ 宽温范围(-55~+150℃);
  • 抗冲击:150A浪涌电流承受能力;
  • 易安装:GBU盒式4引脚封装,适配标准PCB,散热性好。

综上,GBU4J是一款性能稳定、性价比高的4A/600V整流桥,可满足多数中低压电子设备的整流需求。

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