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BCP56-16

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5+

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¥ 19.85
100+

¥ 3.040000

¥ 304
500+

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1000+

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STMICROELECTRONICS

品牌:

STMICROELECTRONICS

型号:

BCP56-16

编号:

E006591

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

晶体管, NPN, 100V, 1A, SOT-223

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 三极管(BJT)
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic) 1A
集射极击穿电压(Vceo) 80V
耗散功率(Pd) 1.5W
直流电流增益(hFE) 100@150mA,2V
特征频率(fT) 100MHz
集电极截止电流(Icbo) 100nA
集射极饱和电压(VCE(sat)) 500mV
工作温度 -65℃~+150℃@(Tj)

PDF描述:NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR NPN硅平面中功率晶体管

产品概述

BCP56-16 产品概述

一、产品简介

BCP56-16 是 Slkor(萨科微)出品的一款中功率 NPN 双极型晶体管,采用 SOT-223-3 封装。器件支持最高集电极电流 1A、集电极-发射极击穿电压 80V,最大耗散功率 1.5W,适用于中等电流、较高电压的开关与放大场合。器件在高温工作点(结温可达 +150℃)仍保持良好性能,可靠性优良。

二、主要特性

  • 直流电流增益 hFE ≈ 100(测量条件:Ic=150mA,VCE=2V),利于在中等电流范围取得稳定放大倍数。
  • 转换频率 fT ≈ 100MHz,适合频率不太高的射频/驱动应用及快速开关场合。
  • 集电极-发射极击穿电压 Vceo = 80V,可用于较高电压的电源管理和驱动电路。
  • 最大集电极电流 Ic = 1A,适合中低功率负载驱动。
  • 集电极截止电流 Icbo ≈ 100nA,漏泄小,有利于提高静态功耗表现。
  • 集-射饱和电压 VCE(sat) ≤ 500mV(典型测量点:Ic=500mA, Ib=50mA),在开关导通时损耗可控。
  • 发-基击穿电压 Vebo = 5V,注意基极驱动电压不宜超过此限制。
  • 工作结温范围 -65℃ 至 +150℃(Tj),适用温度区间广。

三、典型应用

  • 低中功率开关电源与电池管理电路。
  • 马达驱动、继电器驱动及继电器阵列。
  • 功率放大器前级与音频驱动电路。
  • 通用驱动器、信号放大与缓冲应用。
  • 工业控制与汽车电子(需按系统级热管理与电压浪涌保护设计)。

四、封装与热管理建议

SOT-223-3 封装相比小型封装具备更好的热性能,但 1.5W 的耗散仍要求合理的 PCB 散热处理:

  • 在封装底部和引脚间区域扩展铜箔散热垫,建议增加多层过孔连接至内层或底层散热平面。
  • 在长期大电流或高环境温度下,需评估结温并保证 Tj 不超过 150℃。
  • 焊接工艺遵循厂家回流曲线,避免过热导致器件热损伤。

五、使用注意事项

  • 基极-发射极击穿电压仅为 5V,应避免对基极施加过高的反向电压或大幅电流突变。
  • VCE(sat) 在高电流时仍有一定压降,设计时考虑饱和损耗对系统效率的影响。
  • 为保证开关速度与稳定性,驱动电阻与基极电流需按实际负载和所需开关时间计算。
  • 在高压或感性负载驱动(如电机、线圈)时,必须添加适当的续流二极管或抑制网络,防止电压回击损伤器件。

六、采购与替代

BCP56-16 以其 80V/1A 的电气特性和 SOT-223 的良好散热能力适合批量制造与维修替换。选型时可根据具体功率、频率与封装要求比较同类 NPN 器件,必要时进行实测验证其增益、饱和电压与热阻等关键参数。

如需电气规格表、封装尺寸图或应用电路示例,可进一步提供,以便给出针对性的设计建议与布局优化。

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