详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 1Mb 并联 45 ns 48-FBGA(6x10)
产品参数
| 产品属性 |
属性值 |
| DigiKey 可编程 |
未验证 |
| 供应商器件封装 |
48-FBGA(6x10) |
| 写周期时间 - 字,页 |
45ns |
| 制造商 |
Infineon Technologies |
| 包装 |
卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
| 基本产品编号 |
CY14V101 |
| 存储器接口 |
并联 |
| 存储器格式 |
NVSRAM |
| 存储器类型 |
非易失 |
| 存储器组织 |
128K x 8 |
| 存储容量 |
1Mb |
| 安装类型 |
表面贴装型 |
| 封装、外壳 |
48-TFBGA |
| 工作温度 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
| 技术 |
NVSRAM(非易失性 SRAM) |
| 电压 - 供电 |
2.7V ~ 3.6V |
| 系列 |
- |
| 访问时间 |
45 ns |
| 零件状态 |
在售 |
PDF描述:1-Mbit (128 K x 8/64 K x 16) nvSRAM Infinite read, write, and recall cycles 1兆位( 128千X 8/64的K× 16 )的nvSRAM无限的读,写和召回周期