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W25Q64JVSSIM

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1+

¥ 21.485594

¥ 21.485594
10+

¥ 20.047712

¥ 200.47712
25+

¥ 19.475865

¥ 486.896625
90+

¥ 18.663048

¥ 1679.67432
180+

¥ 18.222345

¥ 3280.0221
270+

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540+

¥ 17.528526

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1080+

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Winbond Electronics

品牌:

Winbond Electronics

型号:

W25Q64JVSSIM

编号:

L70764373

包装:

-

批号:

-

封装:

8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)

描述:

-

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 NOR FLASH
接口类型 SPI
存储容量 -
时钟频率(fc) 133MHz
工作电压 2.7V~3.6V
页写入时间(Tpp) 3ms
块擦除时间(tBE) 150ms@(64KB)
数据保留 - TDR(年) 20年
工作温度 -40℃~+85℃

PDF描述:3V 64M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI & DTR

产品概述

W25Q64JVSSIM 产品概述

W25Q64JVSSIM是一款由知名半导体制造商WINBOND(华邦)公司生产的高性能闪存存储器,采用先进的NOR闪存技术,专为各种嵌入式系统和消费电子设备设计。这款存储器通过SPI接口(Serial Peripheral Interface,串行外设接口),具备四个输入/输出通道,提供高速数据传输,适合需要快速数据访问的应用场合。

主要特性

  1. 存储容量:W25Q64JVSSIM具备64Mb(8M x 8)的存储容量,能够支持大量数据的存储需求,适用于多种应用场景,如固件存储、数据记录和配置文件等。

  2. 时钟频率:该存储器支持最高133MHz的时钟频率,确保数据传输的高效性,尤其在读取和写入速度方面表现优异。这使得W25Q64JVSSIM适合于对速度有着严格要求的应用,如实时数据处理和音视频文件的存储。

  3. 写周期时间:W25Q64JVSSIM的写周期时间为3ms,意味着在进行数据写入时,设备能够迅速完成操作,提升了系统的整体效率。

  4. 工作温度范围:该存储器的工作温度范围为-40°C至85°C,使其能在各种恶劣环境下稳定工作。这一特性使得W25Q64JVSSIM适用于工业控制、汽车电子及其他要求极高的应用场合。

  5. 电源电压:供电电压范围为2.7V至3.6V,兼容多种供电系统,为设计带来了更大的灵活性。

  6. 非易失性:作为一款非易失性存储器,W25Q64JVSSIM可以在断电的情况下保存数据,确保重要信息不会因电源故障而丢失,适合需要持久数据存储的应用。

  7. 封装形式:该产品采用8-SOIC封装,适合表面贴装技术(Surface Mount Technology,SMT),方便在现代电子系统中的集成。

应用领域

W25Q64JVSSIM广泛适用于多个领域,包括但不限于:

  • 消费电子:在智能手机、平板电脑、智能家居设备等中作为固件存储。
  • 汽车电子:用于车载导航、信息娱乐系统以及电子控制单元(ECU)中的数据存储。
  • 工业自动化:在PLC(可编程逻辑控制器)和工控机中用于配置和参数存储。
  • 医疗设备:在可穿戴健康监测设备和诊断工具中存储数据和设置。

设计优势

W25Q64JVSSIM的设计不仅关注性能和可靠性,还着眼于用户的实际应用需求。其高速读取和写入能力、广泛的工作温度范围和容量,使其成为开发的理想选择。通过结合高性能、灵活性和兼容性,设计者能够轻松集成该存储器至各种电子产品中,从而提高产品的市场竞争力。

总结

W25Q64JVSSIM是一款具有优异性能的64Mb NOR闪存器件,凭借其高速数据传输、广泛的工作温度以及非易失性特点,成为现代嵌入式系统和消费电子应用中不可或缺的组件。对于寻求高密度、快速存储解决方案的设计者而言,W25Q64JVSSIM无疑是一个理想的选择,能够满足多种严苛应用的需求。

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