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首页 > 二极管 > 1N4735A
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1N4735A

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ONSEMI

品牌:

ONSEMI

型号:

1N4735A

编号:

E007402

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

齐纳二极管, 1W, 6.2V, DO-41-2

  • 产品参数
  • 数据手册PDF
  • 产品概述

PDF描述:SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管

1N4735APF-M(6.2V,1W)产品概述

一、产品简介

1N4735APF-M 是 ST(先科)出品的 6.2V 稳压二极管,额定耗散功率为 1W,采用 DO-41 轴向直插封装并符合无铅(RoHS)要求。此器件为常用的低功率齐纳(Zener)稳压元件,适用于基准电压、过压/浪涌钳位和精密偏置场合。

二、主要电气参数

  • 标称稳压值 Vz:6.2V(典型)
  • 稳压值范围:5.89V ~ 6.51V(制造公差范围)
  • 反向漏电流 Ir(25°C,典型):10 μA
  • 耗散功率 Pd:1W(封装散热限制下最大耗散)
  • 交流小信号阻抗 Zzt:2 Ω(在测试电流下的动态阻抗,表示稳压时电压随电流变化的敏感度)
  • 低电流“拐点”阻抗 Zzk:700 Ω(表示在非常小电流时伏安特性拐点的锐利程度)
  • 由 Pd 和 Vz 可估算极限直流工作电流:Iz_max ≈ Pd / Vz ≈ 161 mA(此值为器件在理想散热条件下的功耗换算,实际应用中须考虑环境温度和散热条件对允许电流的降额)

三、特性与优点

  • 低动态阻抗(Zzt ≈ 2 Ω),在工作电流范围内能提供稳定的参考电压。
  • 漏电流小(典型 10 μA),适合对静态功耗敏感的电路。
  • DO-41 轴向封装便于手工装配与通孔 PCB 波峰焊或手工焊接。
  • 无铅工艺,满足现代环保与电子制造要求。

四、热设计与功耗注意

1W 的额定功耗是在器件自身及周围环境有足够散热条件下给出的最大值。实际电路设计应:

  • 根据 PCB 铜面积、通孔及周围元件布局评估散热能力并必要时采用散热增强措施。
  • 在高环境温度或通风受限场合对耗散功率进行降额(derating)。
  • 避免长时间靠近 Iz_max 工作,建议在稳压设计中留有余量,以延长可靠性。

五、典型应用

  • 作为 6.2V 稳压参考,用于小型线性稳压或分压后基准电路。
  • 过压保护与瞬态钳位,保护敏感输入端或接口。
  • 放大器偏置、信号调理中的电压参照点。
  • 测试与校准电路中作为低功耗参考源。

六、封装与安装要点

  • 封装:DO-41 轴向直插,便于通孔安装。
  • 焊接:遵循厂商推荐的焊接工艺规程,避免过高温度和过长加热时间以防影响器件特性。
  • 机械:安装时避免对引脚施加过大弯曲或机械应力,防止封装损伤。

七、可靠性与选型建议

  • 在对稳压精度、温度系数或长期漂移有严格要求的应用,应参考完整数据手册并考虑温度系数与测试电流对 Vz 的影响。
  • 需要更高功率或更低噪声、更稳定参考源时,可选用更高功耗的齐纳/稳压器或专用基准芯片。
  • 与其他厂家同型号器件可互换使用,但在关键设计中建议对比完整电气特性和测试条件再行替换确认。

如需规格书(datasheet)中更详细的测试条件、温度特性曲线或封装尺寸图,我可帮您获取并解析关键参数以便在电路中准确选型。

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