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VS-10BQ100-M3/5BT

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VISHAY

品牌:

VISHAY

型号:

VS-10BQ100-M3/5BT

编号:

E008511

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

肖特基整流器, 1A, 100V, DO-214AA

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 场效应管(MOSFET)
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 400V
连续漏极电流(Id) 6.3A
导通电阻(RDS(on)) 550mΩ@10V,6A
耗散功率(Pd) 125W
阈值电压(Vgs(th)) 4V
栅极电荷量(Qg) 63nC@10V
输入电容(Ciss) 1.4nF
反向传输电容(Crss) 120pF@25V
工作温度 -55℃~+150℃

PDF描述:DIODE SIGNAL DIODE, Signal Diode

产品概述

产品概述:VS-10BQ100-M3/5BT 肖特基二极管

产品型号VS-10BQ100-M3/5BT是由知名电子元器件制造商VISHAY(威世)生产的一款高性能肖特基二极管,广泛应用于各种电子电路中。其主要特性包括直流反向耐压(Vr)达到100V,平均整流电流(Io)为1A,正向压降(Vf)为820mV(在2A时测得)。针对现代电子设计中对高效能、高压应用的需求,该产品以其卓越的电气特性和可靠的性能表现脱颖而出。

电气特性

  1. 直流反向耐压(Vr): VS-10BQ100-M3/5BT的反向耐压值最高可达到100V。这一特性使其能够在各种高压应用场合中有效工作,减少了系统因过电压而引起的损坏风险,确保设备的稳定性。

  2. 平均整流电流(Io): 最高1A的整流电流能力,使得该二极管在功率转换、电源整流以及高速开关电源等应用中表现出色。

  3. 正向压降(Vf): 该二极管在1A电流下的正向电压降为750mV,而在2A时为820mV,这意味着在实际应用中能有效降低能量损耗,提高系统的效率。低压降特性使其尤为适合需要快速响应及高效能的电路设计。

  4. 反向泄漏电流: 在100V的反向电压条件下,该产品的反向泄漏电流最大仅为500µA,确保了其在高负载条件下的可靠性和效能。这一特性对于降低噪声、提升电路的稳定性至关重要。

  5. 封装和安装类型: VS-10BQ100-M3/5BT采用DO-214AA (SMB)封装,适合表面贴装(SMD)设计。这种封装方式不仅提高了组件的集成度,也有助于快速散热和小型化设计,使其能广泛运用在空间受限的高级设备中。

  6. 工作温度范围: 该二极管的结温范围为-55°C到150°C,适应性强,可用于温度变化较大的环境,确保系统在严苛条件下的持续工作。

  7. 速度性能: 快速恢复特性使其在大于200mA电流条件下的恢复时间小于500ns,这在高频开关电源和高频变换电路中显得尤为重要,能够有效减少开关损耗,提高电源转换效率。

应用场景

由于VS-10BQ100-M3/5BT具备的高性能特性,该肖特基二极管广泛应用于以下领域:

  • 开关电源(SMPS): 其高效能和快速响应特性使得该产品非常适合使用于开关电源的整流阶段,降低了二极管在电源转换中的能耗。

  • 逆变器: 在光伏发电、风能等可再生能源逆变器中,该二极管能够有效处理较高的反向电压,提升整体效率。

  • DC-DC转换器: 在高频开关DC-DC转换器中,其低正向压降和快速切换能力能够显著提高转换效率,减小功耗,满足现代电子设备对能效日益严苛的要求。

  • 电动汽车电子系统: 该产品能够满足电动汽车动力系统中的高电流和高压需求,并确保系统在严苛工作环境下稳定可靠。

总结

作为一款出色的肖特基二极管,VS-10BQ100-M3/5BT以其优异的电气特性和广泛的应用适应性,为电子工程师在电源整流、逆变及高频电路设计中提供了理想解决方案。凭借VISHAY(威世)品牌的信誉和高标准制造,该产品不仅确保了电路的高效能和安全性,更在不断发展的电子应用市场中继续引领创新。对于追求性能与可靠性的设计师而言,VS-10BQ100-M3/5BT是一个不可或缺的选择。

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