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IXGH32N170

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IXYS SEMICONDUCTOR

品牌:

IXYS SEMICONDUCTOR

型号:

IXGH32N170

编号:

E008642

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批号:

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0.006克(g)

描述:

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产品描述:


产品参数

产品属性 属性值
商品目录 IGBT管/模块
IGBT类型 -
集射极击穿电压(Vces) 1.7kV
集电极电流(Ic) 75A
耗散功率(Pd) 350W
栅极阈值电压(Vge(th)) 3.3V@15V,32A
栅极电荷量(Qg) 155nC
输入电容(Cies) -
开启延迟时间(Td(on)) 45ns
关断延迟时间(Td(off)) 270ns
导通损耗(Eon) -
关断损耗(Eoff) -
工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

PDF描述:High Voltage IGBT 高压IGBT

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