产品描述:场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 12A, HSMT-8
产品参数
| 产品属性 |
属性值 |
| 商品目录 |
数字晶体管 |
| 晶体管类型 |
- |
| 集射极击穿电压(Vceo) |
50V |
| 集电极电流(Ic) |
100mA |
| 耗散功率(Pd) |
150mW |
PDF描述:Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, HSMT8, 8 PIN