2N4092UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166004

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：15 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：16pF @ 20V

供应商器件封装：UB

制造商：Microchip Technology

2N4092 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6165988

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：15 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：16pF @ 20V

供应商器件封装：TO-18

制造商：Microchip Technology

2N4092UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166002

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：15 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：16pF @ 20V

供应商器件封装：UB

制造商：Microchip Technology

2N4092UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L51833843

手册:  

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：50Ω

饱和漏源电流(Idss@Vds，Vgs=0)：15mA@20V

2N4092UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

编号：L51833841

手册:  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：16pF @ 20V

供应商器件封装：UB

制造商：Microchip Technology

功率 - 最大值：360 mW

2N4092 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L51833823

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：-

耗散功率(Pd)：-

导通电阻(RDS(on))：-

饱和漏源电流(Idss@Vds，Vgs=0)：15mA@20V