2N4093UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166003

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：8 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：16pF @ 20V

供应商器件封装：UB

制造商：Microchip Technology

2N4093 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6165987

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：8 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：16pF @ 20V

供应商器件封装：TO-18

制造商：Microchip Technology

2N4093 TIN/LEAD 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：-

编号：D6165928

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：15 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：16pF @ 20V

供应商器件封装：TO-18

制造商：Central Semiconductor Corp

2N4093 PBFREE 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：-

编号：D6165922

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：15 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：16pF @ 20V

供应商器件封装：TO-18

制造商：Central Semiconductor Corp

2N4093UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166005

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：8 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：16pF @ 20V

供应商器件封装：UB

制造商：Microchip Technology

2N4093UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L51833844

手册:  

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：80Ω

饱和漏源电流(Idss@Vds，Vgs=0)：8mA@20V

2N4093UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

编号：L51833842

手册:  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：16pF @ 20V

供应商器件封装：UB

制造商：Microchip Technology

功率 - 最大值：360 mW

2N4093 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

编号：L51833812

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：16pF @ 20V

供应商器件封装：TO-18

制造商：Microchip Technology

功率 - 最大值：360 mW

2N4093 TIN/LEAD 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

编号：L51833759

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：16pF @ 20V

供应商器件封装：TO-18

制造商：Central Semiconductor Corp

包装：盒

2N4093 PBFREE 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

编号：L51833750

手册:  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：16pF @ 20V

供应商器件封装：TO-18

制造商：Central Semiconductor Corp

包装：盒