2N4391 TO-18 3L ROHS 复制

品牌：Linear Integrated Systems, Inc.复制

封装：-

编号：D6165549

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：4 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：50 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-18-3

2N4391UBC 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166009

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-

供应商器件封装：UBC

制造商：Microchip Technology

包装：散装

2N4391UBC/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166008

手册:  

制造商：Microchip Technology

包装：卷带（TR）

系列：*

零件状态：在售

2N4391-E3 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6166001

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：4 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：50 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

2N4391UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6165980

手册:  

制造商：Microchip Technology

包装：卷带（TR）

系列：-

零件状态：在售

2N4391-2 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6166012

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：4 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：50 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

2N4391 PBFREE 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：-

编号：D6165906

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：10 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：150 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-18

2N4391 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6166000

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：4 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：50 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

2N4391 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6165968

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：4 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：50 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-18

2N4391 TIN/LEAD 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：-

编号：D6165908

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：10 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：150 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-18

2N4391UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6165975

手册:  

制造商：Microchip Technology

包装：散装

基本产品编号：2N4391

系列：-

零件状态：在售

2N4391 TO-18 3L ROHS 复制

品牌：Linear Integrated Systems, Inc.复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L51833394

栅源截止电压(VGS(off))：4V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：1.8W

导通电阻(RDS(on))：30Ω

2N4391-2 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

编号：L51833832

手册:  

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：50 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

2N4391-E3 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

编号：L51833829

手册:  

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：50 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

2N4391 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L51833828

手册:  

栅源截止电压(VGS(off))：4V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：300mW

导通电阻(RDS(on))：-

2N4391UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：L51833811

手册:  

制造商：Microchip Technology

包装：卷带（TR）

系列：-

零件状态：在售

2N4391UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：L51833806

手册:  

基本产品编号：2N4391

系列：-

零件状态：在售

2N4391 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L51833797

手册:  

栅源截止电压(VGS(off))：4V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：300mW

导通电阻(RDS(on))：-

2N4391 TIN/LEAD 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

编号：L51833727

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：150 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-18

制造商：Central Semiconductor Corp

2N4391 PBFREE 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L51833726

栅源截止电压(VGS(off))：10V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：1.8W

导通电阻(RDS(on))：30Ω