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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

2N4392 PBFREE 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：-

编号：D6165118

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：2 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：25 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-18

总额：¥ 0

2N4392 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6165910

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：2 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：25 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

总额：¥ 0

2N4392-2 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6166013

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：2 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：25 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

总额：¥ 0

2N4392UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6165978

手册:  

制造商：Microchip Technology

包装：卷带（TR）

系列：*

零件状态：在售

总额：¥ 0

2N4392UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6165976

手册:  

制造商：Microchip Technology

包装：散装

基本产品编号：2N4392

系列：*

零件状态：在售

总额：¥ 0

2N4392 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6165967

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：2 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：25 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-18

总额：¥ 0

2N4392-E3 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6165911

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：2 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：25 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

总额：¥ 0

Total:71
总7条记录，每页20条，共1页。
Digikey
原厂正品

2N4392 PBFREE 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L58699758

栅源截止电压(VGS(off))：2V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：1.8W

导通电阻(RDS(on))：60Ω

1+： ¥ 36.525510

10+： ¥ 24.022547

100+： ¥ 16.920732

500+： ¥ 13.887957

1000+： ¥ 12.914082

2000+： ¥ 12.095480

6000+： ¥ 11.692130

总额：¥ 36.53

2N4392-2 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

编号：L58700417

手册:  

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：25 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

20+： ¥ 392.525275

总额：¥ 7850.51

2N4392UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：L58700392

手册:  

制造商：Microchip Technology

包装：卷带（TR）

系列：*

零件状态：在售

100+： ¥ 270.174734

总额：¥ 27017.47

2N4392UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：L58700390

手册:  

基本产品编号：2N4392

系列：*

零件状态：在售

100+： ¥ 268.393082

总额：¥ 26839.31

2N4392 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L58700377

手册:  

栅源截止电压(VGS(off))：2V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：1.8W

导通电阻(RDS(on))：60Ω

100+： ¥ 176.638026

总额：¥ 17663.8

2N4392-E3 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

编号：L58700316

手册:  

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：25 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

200+： ¥ 22.328490

总额：¥ 4465.7

2N4392 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L58700315

手册:  

栅源截止电压(VGS(off))：2V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：1.8W

导通电阻(RDS(on))：60Ω

200+： ¥ 22.328490

总额：¥ 4465.7

2N4392 TO-18 3L ROHS 复制

品牌：Linear Integrated Systems, Inc.复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L58700314

栅源截止电压(VGS(off))：2V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：1.8W

导通电阻(RDS(on))：60Ω

500+： ¥ 22.179413

总额：¥ 11089.71

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