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  • 壹壹捌订货
  • Digikey

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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

2N4393 PBFREE 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：-

编号：D6165117

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：500 mV @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-18

总额：¥ 0

2N4393 TO-18 3L ROHS 复制

品牌：Linear Integrated Systems, Inc.复制

封装：-

编号：D6165555

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：500 mV @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-18-3

总额：¥ 0

2N4393 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6165728

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：500 mV @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-18

总额：¥ 0

2N4393-E3 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6165913

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：500 mV @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

总额：¥ 0

2N4393 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6165912

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：500 mV @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

总额：¥ 0

2N4393-2 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6166014

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：500 mV @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

总额：¥ 0

2N4393UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6165979

手册:  

制造商：Microchip Technology

包装：卷带（TR）

系列：-

零件状态：在售

总额：¥ 0

2N4393UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6165977

手册:  

制造商：Microchip Technology

包装：散装

基本产品编号：2N4393

系列：-

零件状态：在售

总额：¥ 0

2N4393 TIN/LEAD 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：-

编号：D6165907

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：500 mV @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-18

总额：¥ 0

Total:91
总9条记录，每页20条，共1页。
Digikey
原厂正品

2N4393 PBFREE 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L65511628

栅源截止电压(VGS(off))：500mV@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：1.8W

导通电阻(RDS(on))：100Ω

1+： ¥ 34.211677

10+： ¥ 22.411127

50+： ¥ 17.348791

100+： ¥ 15.719191

500+： ¥ 12.862764

总额：¥ 34.21

2N4393 TO-18 3L ROHS 复制

品牌：Linear Integrated Systems, Inc.复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L65511843

栅源截止电压(VGS(off))：500mV@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：1.8W

导通电阻(RDS(on))：-

1+： ¥ 59.498568

10+： ¥ 40.095424

50+： ¥ 31.775541

100+： ¥ 29.099758

500+： ¥ 24.414907

总额：¥ 59.5

2N4393-2 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

编号：L65512287

手册:  

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

20+： ¥ 392.525275

总额：¥ 7850.51

2N4393UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：L65512262

手册:  

制造商：Microchip Technology

包装：卷带（TR）

系列：-

零件状态：在售

100+： ¥ 270.174734

总额：¥ 27017.47

2N4393UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：L65512260

手册:  

基本产品编号：2N4393

系列：-

零件状态：在售

100+： ¥ 268.393082

总额：¥ 26839.31

2N4393-E3 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

编号：L65512189

手册:  

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

200+： ¥ 22.328490

总额：¥ 4465.7

2N4393 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L65512188

手册:  

栅源截止电压(VGS(off))：500mV@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：300mW

导通电阻(RDS(on))：100Ω

200+： ¥ 22.328490

总额：¥ 4465.7

2N4393 TIN/LEAD 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

编号：L65512184

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-18

制造商：Central Semiconductor Corp

2000+： ¥ 15.136436

总额：¥ 30272.87

2N4393 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L65512036

手册:  

栅源截止电压(VGS(off))：500mV@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：300mW

导通电阻(RDS(on))：100Ω

1+： ¥ 159.076033

100+： ¥ 147.755604

总额：¥ 159.08

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