2N4393 PBFREE 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：-

编号：D6165117

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：500 mV @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-18

2N4393 TO-18 3L ROHS 复制

品牌：Linear Integrated Systems, Inc.复制

封装：-

编号：D6165555

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：500 mV @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-18-3

2N4393 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6165728

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：500 mV @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-18

2N4393-E3 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6165913

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：500 mV @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

2N4393 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6165912

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：500 mV @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

2N4393-2 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6166014

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：500 mV @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

2N4393UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6165979

手册:  

制造商：Microchip Technology

包装：卷带（TR）

系列：-

零件状态：在售

2N4393UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6165977

手册:  

制造商：Microchip Technology

包装：散装

基本产品编号：2N4393

系列：-

零件状态：在售

2N4393 TIN/LEAD 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：-

编号：D6165907

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：500 mV @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-18

2N4393 PBFREE 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L58699757

栅源截止电压(VGS(off))：500mV@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：1.8W

导通电阻(RDS(on))：100Ω

2N4393 TO-18 3L ROHS 复制

品牌：Linear Integrated Systems, Inc.复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L58699982

栅源截止电压(VGS(off))：500mV@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：1.8W

导通电阻(RDS(on))：-

2N4393 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L58700149

手册:  

栅源截止电压(VGS(off))：500mV@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：300mW

导通电阻(RDS(on))：100Ω

2N4393-2 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

编号：L58700418

手册:  

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

2N4393UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：L58700393

手册:  

制造商：Microchip Technology

包装：卷带（TR）

系列：-

零件状态：在售

2N4393UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：L58700391

手册:  

基本产品编号：2N4393

系列：-

零件状态：在售

2N4393-E3 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

编号：L58700318

手册:  

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

2N4393 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L58700317

手册:  

栅源截止电压(VGS(off))：500mV@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：300mW

导通电阻(RDS(on))：100Ω

2N4393 TIN/LEAD 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

编号：L58700313

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14pF @ 20V

供应商器件封装：TO-18

制造商：Central Semiconductor Corp