2N4858A 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：-

编号：D6165538

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：800 mV @ 0.5 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：8 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：10pF @ 10V（VGS）

供应商器件封装：TO-18

2N4858 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6165189

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：4 V @ 500 pA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：8 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：18pF @ 10V

供应商器件封装：TO-18

2N4858UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166159

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：4 V @ 500 pA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：8 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：18pF @ 10V（VGS）

供应商器件封装：UB

2N4858U 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166150

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：800 mV @ 500 pA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：8 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：18pF @ 10V

供应商器件封装：UB

2N4858U/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166149

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：800 mV @ 500 pA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：8 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：18pF @ 10V

供应商器件封装：UB

2N4858JTX02 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6165343

手册:  

FET 类型：-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

包装：管件

2N4858JAN02 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6165342

手册:  

FET 类型：-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

包装：管件

2N4858JTXL02 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6165344

手册:  

FET 类型：-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

包装：管件

2N4858UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166163

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：4 V @ 500 pA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：8 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：18pF @ 10V（VGS）

供应商器件封装：UB

2N4858JTXV02 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6165345

手册:  

FET 类型：-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

包装：管件

2N4858 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L58699817

栅源截止电压(VGS(off))：800mV@0.5nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：300mW

导通电阻(RDS(on))：25Ω

2N4858UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

编号：L58700582

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：8 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：18pF @ 10V（VGS）

供应商器件封装：UB

制造商：Microchip Technology

2N4858UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L58700578

栅源截止电压(VGS(off))：4V@500pA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：60Ω

2N4858U 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L58700565

栅源截止电压(VGS(off))：800mV@500pA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：60Ω

2N4858U/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L58700564

栅源截止电压(VGS(off))：800mV@500pA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：60Ω

2N4858A 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L58700321

栅源截止电压(VGS(off))：800mV@0.5nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：60Ω