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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

2N4860UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166157

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：6 V @ 500 pA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：100 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：18pF @ 10V

供应商器件封装：UB

总额：¥ 0

2N4860UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166147

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：6 V @ 500 pA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：100 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：18pF @ 10V

供应商器件封装：UB

总额：¥ 0

2N4860 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166053

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：6 V @ 500 pA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：100 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：18pF @ 10V

供应商器件封装：TO-18

总额：¥ 0

Total:31
总3条记录，每页20条，共1页。
Digikey
原厂正品

2N4860UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L65512445

栅源截止电压(VGS(off))：6V@500pA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：40Ω

100+： ¥ 832.031280

总额：¥ 83203.13

2N4860UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

编号：L65512439

手册:  

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：100 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：18pF @ 10V

供应商器件封装：UB

制造商：Microchip Technology

100+： ¥ 830.376890

总额：¥ 83037.69

2N4860 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L65512344

栅源截止电压(VGS(off))：6V@500pA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：40Ω

100+： ¥ 554.093636

总额：¥ 55409.36

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