2N4861UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166151

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：800 mV @ 500 pA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：8 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：18pF @ 10V

供应商器件封装：UB

2N4861UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166148

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：800 mV @ 500 pA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：8 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：18pF @ 10V

供应商器件封装：UB

2N4861JTX02 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6165347

手册:  

FET 类型：-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

包装：管件

2N4861 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166054

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：800 mV @ 500 pA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：8 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：18pF @ 10V

供应商器件封装：UB

2N4861JAN02 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6165346

手册:  

FET 类型：-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

包装：管件

2N4861JTXV02 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6165348

手册:  

FET 类型：-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

包装：管件

2N4861UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L65512435

栅源截止电压(VGS(off))：800mV@500pA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：60Ω

2N4861UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L65512432

栅源截止电压(VGS(off))：800mV@500pA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：60Ω

2N4861 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

编号：L65512340

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：8 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：18pF @ 10V

供应商器件封装：UB

制造商：Microchip Technology