2N5114UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166040

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：10 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：90 mA @ 18 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V

供应商器件封装：UB

2N5114UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166039

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：10 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：90 mA @ 18 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V

供应商器件封装：UB

2N5114UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L44795824

手册:  

栅源截止电压(VGS(off))：10V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：75Ω

2N5114UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

编号：L44795803

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：90 mA @ 18 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V

供应商器件封装：UB

制造商：Microchip Technology

2N5114UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L33239732

手册:  

栅源截止电压(VGS(off))：10V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：75Ω

2N5114UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

编号：L33239711

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：90 mA @ 18 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V

供应商器件封装：UB

制造商：Microchip Technology