2N5115 TO-18 3L 复制

品牌：Linear Integrated Systems, Inc.复制

封装：-

编号：D6165575

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V

供应商器件封装：TO-18-3

制造商：Linear Integrated Systems, Inc.

功率 - 最大值：500 mW

2N5115-E3 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6166034

手册:  

FET 类型：-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

包装：管件

2N5115UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166026

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：6 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：60 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V

供应商器件封装：UB

2N5115JTXV02 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6165354

手册:  

FET 类型：-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

包装：管件

2N5115JTX02 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6165353

手册:  

FET 类型：-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

包装：管件

2N5115JAN02 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6165352

手册:  

FET 类型：-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

包装：管件

2N5115UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166023

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：6 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：60 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V

供应商器件封装：UB

2N5115 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6166033

手册:  

FET 类型：-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

包装：管件

2N5115E3 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6165993

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：3 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：15 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V

供应商器件封装：TO-18（TO-206AA）

2N5115 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：-

编号：D6165375

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：3 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：15 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V

供应商器件封装：TO-18

2N5115 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6165992

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：6 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：60 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V

供应商器件封装：TO-18（TO-206AA）

2N5115 TO-18 3L 复制

品牌：Linear Integrated Systems, Inc.复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L65511863

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：100Ω

输入电容(Ciss)：25pF@15V

2N5115UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L65512317

手册:  

栅源截止电压(VGS(off))：6V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：100Ω

2N5115UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

编号：L65512315

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：60 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V

供应商器件封装：UB

制造商：Microchip Technology

2N5115-E3 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

编号：L65512301

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

包装：管件

基本产品编号：2N5115

2N5115 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L65512300

栅源截止电压(VGS(off))：6V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：100Ω

2N5115E3 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L65512280

手册:  

栅源截止电压(VGS(off))：3V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：100Ω

2N5115 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L65512279

栅源截止电压(VGS(off))：6V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：100Ω