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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

2N5115 TO-18 3L 复制

品牌：Linear Integrated Systems, Inc.复制

封装：-

编号：D6165575

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V

供应商器件封装：TO-18-3

制造商：Linear Integrated Systems, Inc.

功率 - 最大值：500 mW

总额：¥ 0

2N5115-E3 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6166034

手册:  

FET 类型：-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

包装：管件

总额：¥ 0

2N5115UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166026

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：6 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：60 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V

供应商器件封装：UB

总额：¥ 0

2N5115JTXV02 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6165354

手册:  

FET 类型：-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

包装：管件

总额：¥ 0

2N5115JTX02 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6165353

手册:  

FET 类型：-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

包装：管件

总额：¥ 0

2N5115JAN02 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6165352

手册:  

FET 类型：-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

包装：管件

总额：¥ 0

2N5115UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166023

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：6 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：60 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V

供应商器件封装：UB

总额：¥ 0

2N5115 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6166033

手册:  

FET 类型：-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

包装：管件

总额：¥ 0

2N5115E3 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6165993

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：3 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：15 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V

供应商器件封装：TO-18（TO-206AA）

总额：¥ 0

2N5115 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：-

编号：D6165375

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：3 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：15 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V

供应商器件封装：TO-18

总额：¥ 0

2N5115 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6165992

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：6 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：60 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V

供应商器件封装：TO-18（TO-206AA）

总额：¥ 0

Total:111
总11条记录，每页20条，共1页。
Digikey
原厂正品

2N5115 TO-18 3L 复制

品牌：Linear Integrated Systems, Inc.复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L44795388

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：100Ω

输入电容(Ciss)：25pF@15V

1+： ¥ 65.861609

10+： ¥ 44.789200

100+： ¥ 32.850647

500+： ¥ 28.199842

总额：¥ 65.86

2N5115 TO-18 3L 复制

品牌：Linear Integrated Systems, Inc.复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L33239095

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：100Ω

输入电容(Ciss)：25pF@15V

1+： ¥ 65.861609

10+： ¥ 44.789200

100+： ¥ 32.850647

500+： ¥ 28.199842

总额：¥ 65.86

2N5115UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L44795815

手册:  

栅源截止电压(VGS(off))：6V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：100Ω

100+： ¥ 504.461914

总额：¥ 50446.19

2N5115UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

编号：L44795813

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：60 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V

供应商器件封装：UB

制造商：Microchip Technology

100+： ¥ 502.807524

总额：¥ 50280.75

2N5115-E3 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

编号：L44795800

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

包装：管件

基本产品编号：2N5115

200+： ¥ 444.173338

总额：¥ 88834.67

2N5115 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L44795799

栅源截止电压(VGS(off))：6V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：100Ω

200+： ¥ 444.173338

总额：¥ 88834.67

2N5115E3 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L44795781

手册:  

栅源截止电压(VGS(off))：3V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：100Ω

100+： ¥ 347.931098

总额：¥ 34793.11

2N5115 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L44795780

栅源截止电压(VGS(off))：6V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：100Ω

100+： ¥ 343.095187

总额：¥ 34309.52

2N5115UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L33239723

手册:  

栅源截止电压(VGS(off))：6V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：100Ω

100+： ¥ 504.461914

总额：¥ 50446.19

2N5115UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

编号：L33239721

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：60 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V

供应商器件封装：UB

制造商：Microchip Technology

100+： ¥ 502.807524

总额：¥ 50280.75

2N5115-E3 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

编号：L33239708

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

包装：管件

基本产品编号：2N5115

200+： ¥ 444.173338

总额：¥ 88834.67

2N5115 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L33239707

栅源截止电压(VGS(off))：6V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：100Ω

200+： ¥ 444.173338

总额：¥ 88834.67

2N5115E3 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L33239689

手册:  

栅源截止电压(VGS(off))：3V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：100Ω

100+： ¥ 347.931098

总额：¥ 34793.11

2N5115 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L33239688

栅源截止电压(VGS(off))：6V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：100Ω

100+： ¥ 343.095187

总额：¥ 34309.52

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