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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

2N5115 TO-18 3L 复制

品牌:Linear Integrated Systems, Inc.复制

封装:-

编号:D6165575

手册:  

FET 类型:P 通道

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):25pF @ 15V

供应商器件封装:TO-18-3

制造商:Linear Integrated Systems, Inc.

功率 - 最大值:500 mW

总额:¥ 0

2N5115-E3 复制

品牌:Vishay Siliconix复制

封装:-

编号:D6166034

手册:  

FET 类型:-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-

供应商器件封装:TO-206AA(TO-18)

制造商:Vishay Siliconix

包装:管件

总额:¥ 0

2N5115UB/TR 复制

品牌:Microchip Technology复制

封装:-

编号:D6166026

手册:  

FET 类型:P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):6 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):60 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):25pF @ 15V

供应商器件封装:UB

总额:¥ 0

2N5115JTXV02 复制

品牌:Vishay Siliconix复制

封装:-

编号:D6165354

手册:  

FET 类型:-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-

供应商器件封装:TO-206AA(TO-18)

制造商:Vishay Siliconix

包装:管件

总额:¥ 0

2N5115JTX02 复制

品牌:Vishay Siliconix复制

封装:-

编号:D6165353

手册:  

FET 类型:-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-

供应商器件封装:TO-206AA(TO-18)

制造商:Vishay Siliconix

包装:管件

总额:¥ 0

2N5115JAN02 复制

品牌:Vishay Siliconix复制

封装:-

编号:D6165352

手册:  

FET 类型:-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-

供应商器件封装:TO-206AA(TO-18)

制造商:Vishay Siliconix

包装:管件

总额:¥ 0

2N5115UB 复制

品牌:Microchip Technology复制

封装:-

编号:D6166023

手册:  

FET 类型:P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):6 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):60 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):25pF @ 15V

供应商器件封装:UB

总额:¥ 0

2N5115 复制

品牌:Vishay Siliconix复制

封装:-

编号:D6166033

手册:  

FET 类型:-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-

供应商器件封装:TO-206AA(TO-18)

制造商:Vishay Siliconix

包装:管件

总额:¥ 0

2N5115E3 复制

品牌:Microchip Technology复制

封装:-

编号:D6165993

手册:  

FET 类型:P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):3 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):15 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):25pF @ 15V

供应商器件封装:TO-18(TO-206AA)

总额:¥ 0

2N5115 复制

品牌:Central Semiconductor Corp复制

封装:-

编号:D6165375

手册:  

FET 类型:P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):3 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):15 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):25pF @ 15V

供应商器件封装:TO-18

总额:¥ 0

2N5115 复制

品牌:Microchip Technology复制

封装:-

编号:D6165992

手册:  

FET 类型:P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):6 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):60 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):25pF @ 15V

供应商器件封装:TO-18(TO-206AA)

总额:¥ 0

Total:111
总11条记录,每页20条,共1页。
Digikey
原厂正品

2N5115 TO-18 3L 复制

品牌:Linear Integrated Systems, Inc.复制

封装:TO-206AA,TO-18-3 金属罐

类目: 结型场效应管(JFET)

编号:L44795388

栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V

耗散功率(Pd):500mW

导通电阻(RDS(on)):100Ω

输入电容(Ciss):25pF@15V

1+: ¥ 65.861609

10+: ¥ 44.789200

100+: ¥ 32.850647

500+: ¥ 28.199842

总额:¥ 65.86

2N5115 TO-18 3L 复制

品牌:Linear Integrated Systems, Inc.复制

封装:TO-206AA,TO-18-3 金属罐

类目: 结型场效应管(JFET)

编号:L33239095

栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V

耗散功率(Pd):500mW

导通电阻(RDS(on)):100Ω

输入电容(Ciss):25pF@15V

1+: ¥ 65.861609

10+: ¥ 44.789200

100+: ¥ 32.850647

500+: ¥ 28.199842

总额:¥ 65.86

2N5115UB/TR 复制

品牌:Microchip Technology复制

封装:3-SMD,无引线

类目: 结型场效应管(JFET)

编号:L44795815

手册:  

栅源截止电压(VGS(off)):6V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V

耗散功率(Pd):500mW

导通电阻(RDS(on)):100Ω

100+: ¥ 504.461914

总额:¥ 50446.19

2N5115UB 复制

品牌:Microchip Technology复制

封装:3-SMD,无引线

编号:L44795813

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):60 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):25pF @ 15V

供应商器件封装:UB

制造商:Microchip Technology

100+: ¥ 502.807524

总额:¥ 50280.75

2N5115-E3 复制

品牌:Vishay Siliconix复制

封装:TO-206AA,TO-18-3 金属罐

编号:L44795800

供应商器件封装:TO-206AA(TO-18)

制造商:Vishay Siliconix

包装:管件

基本产品编号:2N5115

200+: ¥ 444.173338

总额:¥ 88834.67

2N5115 复制

品牌:Vishay Siliconix复制

封装:TO-206AA,TO-18-3 金属罐

类目: 结型场效应管(JFET)

编号:L44795799

栅源截止电压(VGS(off)):6V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V

耗散功率(Pd):500mW

导通电阻(RDS(on)):100Ω

200+: ¥ 444.173338

总额:¥ 88834.67

2N5115E3 复制

品牌:Microchip Technology复制

封装:TO-206AA,TO-18-3 金属罐

类目: 结型场效应管(JFET)

编号:L44795781

手册:  

栅源截止电压(VGS(off)):3V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V

耗散功率(Pd):500mW

导通电阻(RDS(on)):100Ω

100+: ¥ 347.931098

总额:¥ 34793.11

2N5115 复制

品牌:Microchip Technology复制

封装:TO-206AA,TO-18-3 金属罐

类目: 结型场效应管(JFET)

编号:L44795780

栅源截止电压(VGS(off)):6V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V

耗散功率(Pd):500mW

导通电阻(RDS(on)):100Ω

100+: ¥ 343.095187

总额:¥ 34309.52

2N5115UB/TR 复制

品牌:Microchip Technology复制

封装:3-SMD,无引线

类目: 结型场效应管(JFET)

编号:L33239723

手册:  

栅源截止电压(VGS(off)):6V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V

耗散功率(Pd):500mW

导通电阻(RDS(on)):100Ω

100+: ¥ 504.461914

总额:¥ 50446.19

2N5115UB 复制

品牌:Microchip Technology复制

封装:3-SMD,无引线

编号:L33239721

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):60 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):25pF @ 15V

供应商器件封装:UB

制造商:Microchip Technology

100+: ¥ 502.807524

总额:¥ 50280.75

2N5115-E3 复制

品牌:Vishay Siliconix复制

封装:TO-206AA,TO-18-3 金属罐

编号:L33239708

供应商器件封装:TO-206AA(TO-18)

制造商:Vishay Siliconix

包装:管件

基本产品编号:2N5115

200+: ¥ 444.173338

总额:¥ 88834.67

2N5115 复制

品牌:Vishay Siliconix复制

封装:TO-206AA,TO-18-3 金属罐

类目: 结型场效应管(JFET)

编号:L33239707

栅源截止电压(VGS(off)):6V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V

耗散功率(Pd):500mW

导通电阻(RDS(on)):100Ω

200+: ¥ 444.173338

总额:¥ 88834.67

2N5115E3 复制

品牌:Microchip Technology复制

封装:TO-206AA,TO-18-3 金属罐

类目: 结型场效应管(JFET)

编号:L33239689

手册:  

栅源截止电压(VGS(off)):3V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V

耗散功率(Pd):500mW

导通电阻(RDS(on)):100Ω

100+: ¥ 347.931098

总额:¥ 34793.11

2N5115 复制

品牌:Microchip Technology复制

封装:TO-206AA,TO-18-3 金属罐

类目: 结型场效应管(JFET)

编号:L33239688

栅源截止电压(VGS(off)):6V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V

耗散功率(Pd):500mW

导通电阻(RDS(on)):100Ω

100+: ¥ 343.095187

总额:¥ 34309.52