2N5116 TO-18 3L ROHS 复制

品牌：Linear Integrated Systems, Inc.复制

封装：-

编号：D6165581

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V

供应商器件封装：TO-18-3

制造商：Linear Integrated Systems, Inc.

功率 - 最大值：500 mW

2N5116UA 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166042

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：1 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：27pF @ 15V

供应商器件封装：UA

2N5116-E3 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6166036

手册:  

FET 类型：-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

包装：管件

2N5116UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166025

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：4 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：25 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：27pF @ 15V

供应商器件封装：UB

2N5116 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6165991

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：4 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：25 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：27pF @ 15V

供应商器件封装：TO-18

2N5116 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：-

编号：D6165946

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：1 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V

供应商器件封装：TO-18

2N5116JTVL02 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6165355

手册:  

FET 类型：-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

包装：管件

2N5116UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166024

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：4 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：25 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：27pF @ 15V

供应商器件封装：UB

2N5116JAN02 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6166043

手册:  

FET 类型：-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

包装：管件

2N5116UA/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166041

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：1 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：27pF @ 15V

供应商器件封装：UA

2N5116 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：-

编号：D6166035

手册:  

FET 类型：-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

包装：管件

2N5116 TO-18 3L ROHS 复制

品牌：Linear Integrated Systems, Inc.复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L65511869

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：150Ω

输入电容(Ciss)：25pF@15V

2N5116UA 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：4-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L65512329

手册:  

栅源截止电压(VGS(off))：1V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：175Ω

2N5116UA/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：4-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L65512328

手册:  

栅源截止电压(VGS(off))：1V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：175Ω

2N5116UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L65512316

手册:  

栅源截止电压(VGS(off))：4V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：175Ω

2N5116JAN02 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

编号：L65512307

手册:  

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

包装：管件

基本产品编号：2N5116

2N5116-E3 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

编号：L65512303

供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）

制造商：Vishay Siliconix

包装：管件

基本产品编号：2N5116

2N5116 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L65512302

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：150Ω

输入电容(Ciss)：25pF@15V

2N5116UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

编号：L65512293

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：25 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：27pF @ 15V

供应商器件封装：UB

制造商：Microchip Technology

2N5116 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L65512268

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：150Ω

输入电容(Ciss)：25pF@15V

2N5116 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L65512224

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：150Ω

输入电容(Ciss)：25pF@15V