2N5460 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D6165814

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：750 mV @ 1 µA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：1 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7pF @ 15V

供应商器件封装：TO-92（TO-226）

2N5460 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：-

编号：D6165853

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：750 mV @ 1 µA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：1 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7pF @ 15V

供应商器件封装：TO-92-3

2N5460_L99Z 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D6165779

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：750 mV @ 1 µA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7pF @ 15V

供应商器件封装：TO-92（TO-226）

2N5460G 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D6165214

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：750 mV @ 1 µA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：1 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7pF @ 15V

供应商器件封装：TO-92（TO-226）

2N5460 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L44795679

栅源截止电压(VGS(off))：750mV@1uA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：-

饱和漏源电流(Idss@Vds，Vgs=0)：1mA@15V

2N5460 复制

品牌：onsemi复制

封装：TO-226-3，TO-92-3 长体

编号：L44795618

手册:  

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：1 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7pF @ 15V

供应商器件封装：TO-92（TO-226）

制造商：onsemi

2N5460_L99Z 复制

品牌：onsemi复制

封装：TO-226-3，TO-92-3 长体

编号：L44795581

手册:  

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7pF @ 15V

供应商器件封装：TO-92（TO-226）

制造商：onsemi

2N5460 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L33239483

栅源截止电压(VGS(off))：750mV@1uA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：-

饱和漏源电流(Idss@Vds，Vgs=0)：1mA@15V

2N5460 复制

品牌：onsemi复制

封装：TO-226-3，TO-92-3 长体

编号：L33239421

手册:  

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：1 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7pF @ 15V

供应商器件封装：TO-92（TO-226）

制造商：onsemi

2N5460_L99Z 复制

品牌：onsemi复制

封装：TO-226-3，TO-92-3 长体

编号：L33239384

手册:  

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7pF @ 15V

供应商器件封装：TO-92（TO-226）

制造商：onsemi