2N5639 复制

品牌：Fairchild Semiconductor复制

封装：-

编号：D6165455

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：25 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：10pF @ 12V（VGS）

供应商器件封装：TO-92（TO-226）

制造商：Fairchild Semiconductor

2N5639RLRA 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D6165403

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：25 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：10pF @ 12V（VGS）

供应商器件封装：TO-92（TO-226）

制造商：onsemi

2N5639RLRAG 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D6165425

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：25 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：10pF @ 12V（VGS）

供应商器件封装：TO-92（TO-226）

制造商：onsemi

2N5639 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D6165799

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：25 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：10pF @ 12V（VGS）

供应商器件封装：TO-92（TO-226）

制造商：onsemi

2N5639G 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D6165426

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：25 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：10pF @ 12V（VGS）

供应商器件封装：TO-92（TO-226）

制造商：onsemi

2N5639RLRA 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：L58625896

手册:  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：10pF @ 12V（VGS）

供应商器件封装：TO-92（TO-226）

制造商：onsemi

功率 - 最大值：310 mW

2N5639 复制

品牌：Fairchild Semiconductor复制

封装：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L58699884

栅源截止电压(VGS(off))：-

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：350mW

导通电阻(RDS(on))：60Ω

2N5639 复制

品牌：onsemi复制

封装：TO-226-3，TO-92-3 长体

编号：L58700223

手册:  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：10pF @ 12V（VGS）

供应商器件封装：TO-92（TO-226）

制造商：onsemi

功率 - 最大值：310 mW

2N5639G 复制

品牌：onsemi复制

封装：TO-226-3，TO-92-3 长体

编号：L58699858

手册:  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：10pF @ 12V（VGS）

供应商器件封装：TO-92（TO-226）

制造商：onsemi

功率 - 最大值：310 mW

2N5639RLRAG 复制

品牌：onsemi复制

封装：TO-226-3，TO-92-3 长体，成型引线

编号：L58699857

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：10pF @ 12V（VGS）

供应商器件封装：TO-92（TO-226）

制造商：onsemi

功率 - 最大值：310 mW