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2N6052 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

类目： 达林顿管

编号：L44712852

集射极击穿电压(Vceo)：100V

耗散功率(Pd)：150W

集电极电流(Ic)：12A

集射极饱和电压(VCE(sat))：3V

100+： ¥ 460.429668

总额：¥ 46042.97

2N6052 PBFREE 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：TO-204AA，TO-3

编号：L44711773

200+： ¥ 27.438343

总额：¥ 5487.67

2N6052 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

类目： 达林顿管

编号：L33200489

集射极击穿电压(Vceo)：100V

耗散功率(Pd)：150W

集电极电流(Ic)：12A

集射极饱和电压(VCE(sat))：3V

100+： ¥ 460.429668

总额：¥ 46042.97

2N6052 PBFREE 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：TO-204AA，TO-3

编号：L33199421

200+： ¥ 27.438343

总额：¥ 5487.67

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