2N6299P 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-213AA，TO-66-2

类目： 达林顿管

编号：L44712699

集射极击穿电压(Vceo)：80V

直流电流增益(hFE)：750@3V，4A

耗散功率(Pd)：64W

集电极电流(Ic)：8A

2N6299 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-213AA，TO-66-2

类目： 达林顿管

编号：L44712590

集射极击穿电压(Vceo)：80V

直流电流增益(hFE)：750

耗散功率(Pd)：64W

集电极电流(Ic)：8A

2N6299E3 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-213AA，TO-66-2

类目： 达林顿管

编号：L44712580

集射极击穿电压(Vceo)：80V

直流电流增益(hFE)：500@3V，1A

耗散功率(Pd)：64W

集电极电流(Ic)：500uA

2N6299 TIN/LEAD 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：TO-213AA，TO-66-2

编号：L44712104

2N6299 PBFREE 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：TO-213AA，TO-66-2

编号：L44712028

2N6299P 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-213AA，TO-66-2

类目： 达林顿管

编号：L33200336

集射极击穿电压(Vceo)：80V

直流电流增益(hFE)：750@3V，4A

耗散功率(Pd)：64W

集电极电流(Ic)：8A

2N6299 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-213AA，TO-66-2

类目： 达林顿管

编号：L33200227

集射极击穿电压(Vceo)：80V

直流电流增益(hFE)：750

耗散功率(Pd)：64W

集电极电流(Ic)：8A

2N6299E3 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-213AA，TO-66-2

类目： 达林顿管

编号：L33200217

集射极击穿电压(Vceo)：80V

直流电流增益(hFE)：500@3V，1A

耗散功率(Pd)：64W

集电极电流(Ic)：500uA

2N6299 TIN/LEAD 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：TO-213AA，TO-66-2

编号：L33199741

2N6299 PBFREE 复制

品牌：Central Semiconductor Corp复制

封装：TO-213AA，TO-66-2

编号：L33199665