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2N6351 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-205AC，TO-33-4 金属罐

类目： 达林顿管

编号：L44712661

集射极击穿电压(Vceo)：150V

直流电流增益(hFE)：1000

耗散功率(Pd)：1W

集电极电流(Ic)：5A

100+： ¥ 294.608812

总额：¥ 29460.88

2N6351E3 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-205AC，TO-33-4 金属罐

类目： 达林顿管

编号：L44712602

集射极击穿电压(Vceo)：150V

直流电流增益(hFE)：1000@5V，5A

耗散功率(Pd)：1W

集电极电流(Ic)：5A

100+： ¥ 264.575257

总额：¥ 26457.53

2N6351 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-205AC，TO-33-4 金属罐

类目： 达林顿管

编号：L33200298

集射极击穿电压(Vceo)：150V

直流电流增益(hFE)：1000

耗散功率(Pd)：1W

集电极电流(Ic)：5A

100+： ¥ 294.608812

总额：¥ 29460.88

2N6351E3 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-205AC，TO-33-4 金属罐

类目： 达林顿管

编号：L33200239

集射极击穿电压(Vceo)：150V

直流电流增益(hFE)：1000@5V，5A

耗散功率(Pd)：1W

集电极电流(Ic)：5A

100+： ¥ 264.575257

总额：¥ 26457.53

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