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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

2SC4226-T1(R25) 复制

品牌:NEC复制

封装:-

类目: 达林顿晶体管阵列

编号:G20125721

集射击穿电压(Vceo):50V

最大输入电压(VI):30V

工作温度:-30℃~+75℃

1+: ¥ 8.000000

总额:¥ 8

Total:11
总1条记录,每页20条,共1页。
Digikey
原厂正品

2SC4226 复制

品牌:EVVO复制

封装:SC-70,SOT-323

类目: 三极管(BJT)

编号:L33213854

集电极电流(Ic):100mA

集射极击穿电压(Vceo):12V

耗散功率(Pd):150mW

直流电流增益(hFE):150@7mA,3V

1+: ¥ 0.909006

10+: ¥ 0.586722

25+: ¥ 0.515654

100+: ¥ 0.432191

250+: ¥ 0.393021

500+: ¥ 0.369222

1000+: ¥ 0.349802

总额:¥ 0.91

2SC4226 复制

品牌:EVVO复制

封装:SC-70,SOT-323

类目: 三极管(BJT)

编号:L44722247

集电极电流(Ic):100mA

集射极击穿电压(Vceo):12V

耗散功率(Pd):150mW

直流电流增益(hFE):150@7mA,3V

1+: ¥ 0.909006

10+: ¥ 0.586722

25+: ¥ 0.515654

100+: ¥ 0.432191

250+: ¥ 0.393021

500+: ¥ 0.369222

1000+: ¥ 0.349802

总额:¥ 0.91

2SC4226 复制

品牌:Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.复制

封装:SC-70,SOT-323

类目: 三极管(BJT)

编号:L44722425

集电极电流(Ic):100mA

集射极击穿电压(Vceo):12V

耗散功率(Pd):150mW

直流电流增益(hFE):150@7mA,3V

1+: ¥ 1.487464

10+: ¥ 0.900742

100+: ¥ 0.556146

500+: ¥ 0.404094

1000+: ¥ 0.354595

总额:¥ 1.49

2SC4226 复制

品牌:Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.复制

封装:SC-70,SOT-323

类目: 三极管(BJT)

编号:L33214134

集电极电流(Ic):100mA

集射极击穿电压(Vceo):12V

耗散功率(Pd):150mW

直流电流增益(hFE):150@7mA,3V

1+: ¥ 1.487464

10+: ¥ 0.900742

100+: ¥ 0.556146

500+: ¥ 0.404094

1000+: ¥ 0.354595

总额:¥ 1.49