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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

2SK879-GR(TE85L,F) 复制

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage复制

封装:-

编号:D6165143

手册:  

FET 类型:N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):400 mV @ 100 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):2.6 mA @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):8.2pF @ 10V

供应商器件封装:USM

总额:¥ 0

Total:11
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Digikey
原厂正品

2SK879-GR(TE85L,F) 复制

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage复制

封装:SC-70,SOT-323

编号:L33238898

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):2.6 mA @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):8.2pF @ 10V

供应商器件封装:USM

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

1+: ¥ 5.867220

10+: ¥ 3.644287

100+: ¥ 2.337798

500+: ¥ 1.772727

1000+: ¥ 1.590512

总额:¥ 5.87

2SK879-GR(TE85L,F) 复制

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage复制

封装:SC-70,SOT-323

编号:L44795193

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):2.6 mA @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):8.2pF @ 10V

供应商器件封装:USM

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

1+: ¥ 5.867220

10+: ¥ 3.644287

100+: ¥ 2.337798

500+: ¥ 1.772727

1000+: ¥ 1.590512

总额:¥ 5.87